GaN基器件歐姆接觸的研究.pdf

1、寬禁帶半導(dǎo)體GaN具有禁帶寬度大、擊穿場(chǎng)強(qiáng)高、熱導(dǎo)率大、電子飽和漂移速度高等特點(diǎn)，在高溫以及微波功率器件制造領(lǐng)域具有極大的潛力。其中，AIGaN/GaNHEMT器件在微波大功率和高溫應(yīng)用方面均具有明顯的優(yōu)勢(shì)，已經(jīng)成為當(dāng)前研究的熱點(diǎn)之一。為了進(jìn)一步提高AIGaN/GaN HEMT器件的性能，有必要對(duì)其相關(guān)的制造工藝進(jìn)行研究和優(yōu)化。 歐姆接觸作為器件制造的關(guān)鍵工藝，決定著器件的許多主要參數(shù)。要制造高性能的AlGaN/GaN HEMT

2、器件，形成良好的金屬與A1GaN的歐姆接觸是十分重要的。 本文闡述了AIGaN/GaN異質(zhì)結(jié)構(gòu)上歐姆接觸形成的機(jī)理，介紹了傳輸線模型和圓形傳輸線模型，研究了Ti/A1以及Ti/A1/Ni/Au金屬體系與A1GaN/GaN異質(zhì)結(jié)構(gòu)形成的歐姆接觸。通過改變Ti/Al結(jié)構(gòu)和優(yōu)化退火條件，大大降低了接觸電阻。在高純N2氣氛中，經(jīng)過650℃、5min的退火，Ti/Al歐姆接觸的比接觸電阻為4.04×10-5Ωcm2；經(jīng)過850℃、30s的