CMOS IC結構缺陷顯微紅外發(fā)光研究——現(xiàn)象、機理及其應用.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、隨著集成電路特征尺寸的不斷減小,作為失效分析重要一環(huán)的失效定位技術也要做出相應的變革,傳統(tǒng)失效定位手段在如此大的區(qū)域里去精確定位失效位置已變得不切實際。利用CMOS IC結構缺陷的紅外發(fā)光現(xiàn)象可以快速地對失效位置進行定位,其靈敏度也很高。本研究工作主要集中于研究CMOS IC結構中的紅外發(fā)光現(xiàn)象。包括與缺陷有關的紅外發(fā)光,如ESD保護電路擊穿、閂鎖效應、接觸毛刺等。同時通過失效分析的典型案例研究,在電路和版圖設計以及制造工藝上尋找和分析

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