AM-OLED顯示驅(qū)動芯片內(nèi)置SRAM的研究與設計.pdf

1、隨著半導體集成技術的飛速發(fā)展，芯片集成度已跨入SoC時代。AM-OLED顯示驅(qū)動芯片是一個數(shù)字模擬混合的SoC系統(tǒng)，在芯片中內(nèi)嵌靜態(tài)存儲器(SRAM)用于存儲圖像信息，以此提高整個芯片的系統(tǒng)性能。存儲器的功耗與面積在整個芯片中所占比例很大，且其速度也制約著芯片的數(shù)據(jù)傳輸速度。因此，設計出一種高速低功耗小面積的SRAM對提高芯片性能至關重要。
　　本文首先分析SRAM存儲電路的結構及功能，詳細分析了SRAM各個子電路的工作原理。使用

2、高速低功耗設計方法，并結合AM-OLED顯示驅(qū)動芯片的具體要求，設計優(yōu)化了SRAM存儲電路的總體結構。接著從SRAM存儲部分和外圍控制部分兩個方面分別進行設計。
　　在SRAM存儲電路設計中，本論文結合單邊寫驅(qū)動電路結構，設計出一種SRAM低功耗位線結構電路。在寫操作時，預充電路不對位線充電，先平衡位線電位，寫驅(qū)動電路直接驅(qū)動位線，將數(shù)據(jù)寫入單元，從而降低了電路的動態(tài)功耗。在讀操作時，預充電路繼續(xù)給位線充電，以保證電路正確地讀出數(shù)

3、據(jù)。此外，在寫操作時，通過減小字線信號的脈寬，縮短對位線的放電時間，降低位線上的電壓擺幅。使用預譯碼技術設計了多級譯碼器電路結構，并通過邏輯強度原理，優(yōu)化了譯碼器的關鍵邏輯路徑，以使譯碼電路的速度盡可能快而面積和功耗最小化。
　　本論文采用時分技術實現(xiàn)單端口SRAM電路具有同時讀寫的功能。先判斷MCU讀寫請求信號和時序控制電路的行掃描請求信號的優(yōu)先權，再將這兩個外部并行操作信號轉(zhuǎn)化為內(nèi)部單端口SRAM的順序執(zhí)行信號，從而解決讀寫時