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文檔簡介
1、有源矩陣驅(qū)動(dòng)顯示技術(shù)已經(jīng)成為當(dāng)前平板顯示技術(shù)的主流。非晶硅薄膜晶體管(a-Si:H TFT)作為一種成熟的電子器件,因其大面積制造成本低廉、工藝重復(fù)性良好、開關(guān)速度適當(dāng),非常適合于有源矩陣顯示器件。此外,a-Si:H TFT較低的制備溫度使其具有可制作在柔性基底的優(yōu)點(diǎn)。因此,采用具有液晶顯示產(chǎn)業(yè)化基礎(chǔ)的a-Si:H TFT來驅(qū)動(dòng)OLED無疑具有重大的意義。本文以研制性能優(yōu)良AM-OLED用a-Si:H TFT為目的,探索了a-Si:H
2、TFT的制備工藝,并研究了a-Si:H TFT對(duì)AM-OLED穩(wěn)定性的影響。
(1)a-Si:H TFT組成膜的制備。采用PECVD方法,通過改變工藝參數(shù),分別在不同襯底上沉積一系列a-SiNx:H、a-Si:H及n+Si:H薄膜樣品。使用橢圓偏振儀、超高電阻微電流計(jì)等測試儀器對(duì)樣品薄膜進(jìn)行測試,摸索出沉積各層薄膜的較佳的工藝參數(shù)。
?。?)a-Si:H TFT的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)。結(jié)合OLED的需求及a-SiNx:H、a-Si
3、:H及n+Si:H薄膜的光電特性,設(shè)計(jì)TFT結(jié)構(gòu)為背溝道刻蝕型,結(jié)構(gòu)參數(shù)如下:a-SiNx:H厚度為300nm、a-Si:H的厚度為200nm、n+Si:H的厚度為50nm,柵極與源漏極采用的低電阻率Al電極厚度為200nm。此外,根據(jù)TFT結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)和整體布局,論文設(shè)計(jì)了三塊掩膜板,以獲得所需的a-Si:H TFT結(jié)構(gòu)陣列。
(3)a-Si:H TFT的制備。采用傳統(tǒng)的光刻和刻蝕工藝,經(jīng)三次套刻獲得整體a-Si:H TFT陣列
4、,其中,SiNx、a-Si:H、n+a-Si膜的干法刻蝕選用SF6氣體等離子刻蝕,Al膜的濕法刻蝕選用鹽酸、磷酸和水的配比刻蝕液。
?。?)a-Si:H TFT性能測試。通過測試TFT漏極電流與柵極電壓,獲得所制備a-Si:H TFT的轉(zhuǎn)移曲線;測量了a-Si:H TFT的開關(guān)比,并對(duì)影響a-Si:H TFT性能的主要因素進(jìn)行了分析。
?。?)研究a-Si:H TFT特性對(duì)AM-OLED穩(wěn)定性的影響。主要分析了電流控制電
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