版權(quán)說明:本文檔由用戶提供并上傳,收益歸屬內(nèi)容提供方,若內(nèi)容存在侵權(quán),請(qǐng)進(jìn)行舉報(bào)或認(rèn)領(lǐng)
文檔簡介
1、目前,全球的能源危機(jī)推動(dòng)著各國對(duì)新能源的探索和研究,其中包括:風(fēng)能、水能、核能等,太陽能由于具有清潔性和可再生性而備受矚目。當(dāng)前轉(zhuǎn)換效率最高的是單晶硅電池,但由于單位產(chǎn)能成本高而無法推廣應(yīng)用,而非晶硅對(duì)材料消耗少,耗能低,可大而積生產(chǎn),能量返回周期短等優(yōu)點(diǎn)彌補(bǔ)了單晶硅的缺憾,因此,本文的研究將圍繞非晶硅太陽能電池的n層在不同PH3/SiH4氣流量比下的光、電學(xué)及微結(jié)構(gòu)的變化規(guī)律。
本文采用等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積(PECV
2、D)法分別在載玻片和硅片上制備了一組具有不同磷摻雜量的n型a-Si:H薄膜并對(duì)部分樣品進(jìn)行了退火處理,通過AFM、Raman光譜儀、Hall效應(yīng)儀、UV分光光度計(jì)及SIMS等分析手段,研究了不同磷含量和原子排列有序度對(duì)n型a-Si:H薄膜的微觀結(jié)構(gòu)、光學(xué)/電學(xué)性能的影響并對(duì)其原因進(jìn)行了分析。本文取得的重要結(jié)論和創(chuàng)新性研究成果如下:
1)利用霍爾效應(yīng)儀對(duì)載流子濃度、載流子遷移率、電阻率進(jìn)行了檢測分析,結(jié)果表明:當(dāng)PH3/Si
3、H4氣流量比從0.5%增加到2.5%,n型a-Si:H薄膜的電阻率整體呈下降趨勢;其中在PH3/SiH4氣流量比從1.0%增加到1.5%時(shí),電阻率從1.35×105ohm*cm降低到3.66×104ohm*cm,降低幅度近兩倍,其后電阻率緩慢下降,趨于穩(wěn)定;
2)通過紫外-可見光分光光度計(jì)測得:在五種PH3/SiH4氣流量比條件下制備的N型a-Si:H薄膜,其透過率在波段為600nm時(shí)均在65%以上、在600nm-900n
4、m波段范圍內(nèi)透過率均大于40%,n型a-Si:H薄膜的透過率整體較好。隨著PH3/SiH4氣流量比的升高,薄膜的透過率逐漸增大。經(jīng)tauc法計(jì)算得出:隨著PH3/SiH4氣流量比的升高也即磷元素?fù)诫s濃度的增加,n型a-Si:H薄膜的光學(xué)帶隙逐漸變??;
3)盡管拉曼檢測結(jié)果顯示出本文沉秋的n型a-Si:H薄膜均為非晶態(tài)結(jié)構(gòu),但其非晶網(wǎng)絡(luò)的短程和中程有序度隨著PH3/SiH4氣流量比的升高是逐步提高的;
4)采用
5、二次離子質(zhì)譜(SIMS)分析了磷元素在薄膜中的縱向摻雜濃度,當(dāng)PH3/SiH4氣流量比為1.5%時(shí),從膜表而到薄膜內(nèi)部,磷原子的有效摻雜濃度在1.15×1021atoms/cm3到1.17×1021atoms/cm3之間,磷原子分布均勻;而PH3/SiH4氣流量比為2.5%時(shí),磷原子的有效摻雜濃度在1.58×1021atoms/cm3到3.34×1020atoms/cm3,雖然在同一個(gè)數(shù)量級(jí)上,但從表而到內(nèi)部逐漸降低,表現(xiàn)出不均勻性;<
溫馨提示
- 1. 本站所有資源如無特殊說明,都需要本地電腦安裝OFFICE2007和PDF閱讀器。圖紙軟件為CAD,CAXA,PROE,UG,SolidWorks等.壓縮文件請(qǐng)下載最新的WinRAR軟件解壓。
- 2. 本站的文檔不包含任何第三方提供的附件圖紙等,如果需要附件,請(qǐng)聯(lián)系上傳者。文件的所有權(quán)益歸上傳用戶所有。
- 3. 本站RAR壓縮包中若帶圖紙,網(wǎng)頁內(nèi)容里面會(huì)有圖紙預(yù)覽,若沒有圖紙預(yù)覽就沒有圖紙。
- 4. 未經(jīng)權(quán)益所有人同意不得將文件中的內(nèi)容挪作商業(yè)或盈利用途。
- 5. 眾賞文庫僅提供信息存儲(chǔ)空間,僅對(duì)用戶上傳內(nèi)容的表現(xiàn)方式做保護(hù)處理,對(duì)用戶上傳分享的文檔內(nèi)容本身不做任何修改或編輯,并不能對(duì)任何下載內(nèi)容負(fù)責(zé)。
- 6. 下載文件中如有侵權(quán)或不適當(dāng)內(nèi)容,請(qǐng)與我們聯(lián)系,我們立即糾正。
- 7. 本站不保證下載資源的準(zhǔn)確性、安全性和完整性, 同時(shí)也不承擔(dān)用戶因使用這些下載資源對(duì)自己和他人造成任何形式的傷害或損失。
最新文檔
- P型a-Si-H薄膜硼摻雜比及微結(jié)構(gòu)對(duì)其光-電學(xué)性能的影響.pdf
- p型μc-Si:H薄膜微結(jié)構(gòu)和光電性能的研究.pdf
- Ti-Si-N硬質(zhì)薄膜的微結(jié)構(gòu)與力學(xué)性能研究.pdf
- MWECR CVD高速制備優(yōu)質(zhì)a-Si-H薄膜的工藝研究.pdf
- MWECR CVD制備a-Si-H薄膜的沉積速率研究和紅外分析.pdf
- Ti-Al-Si-N復(fù)合薄膜的微結(jié)構(gòu)與力學(xué)性能.pdf
- MW-ECR CVD制備a-Si-H薄膜的光電特性研究.pdf
- a-Si-H中的光致Er熒光及缺陷熒光研究.pdf
- Ti-Si-N-Ti-Si-Al-N納米結(jié)構(gòu)薄膜的制備與性能研究.pdf
- 射頻等離子體CVD法制備a-Si-H薄膜的研究.pdf
- HfO2薄膜微結(jié)構(gòu)及電學(xué)性能研究.pdf
- PECVD硅薄膜的微觀結(jié)構(gòu)及光-電學(xué)性能研究.pdf
- 溶膠—凝膠法制備Si基ZnO薄膜的微結(jié)構(gòu)和光電性能研究.pdf
- 不同制備工藝的Fe-Ga薄膜的微結(jié)構(gòu)和磁性能研究.pdf
- MWECR CVD高速沉積a-Si-H薄膜及熱退火微觀機(jī)理研究.pdf
- Bi基鐵電外延薄膜的制備、微結(jié)構(gòu)和光伏性能研究.pdf
- N型有機(jī)薄膜晶體管的制備及其電學(xué)性能研究.pdf
- nc-Si-H薄膜的結(jié)構(gòu)特征和光電特性.pdf
- Ti-N及Si-N薄膜的制備及其性能研究.pdf
- Si和F共摻雜的DLC-Si-F薄膜的結(jié)構(gòu)和性能研究.pdf
評(píng)論
0/150
提交評(píng)論