版權(quán)說明:本文檔由用戶提供并上傳,收益歸屬內(nèi)容提供方,若內(nèi)容存在侵權(quán),請進(jìn)行舉報(bào)或認(rèn)領(lǐng)
文檔簡介
1、P型a-Si:H薄膜不僅是非晶硅薄膜太陽電池的窗口層材料,更與N層形成內(nèi)建電場產(chǎn)生光伏效應(yīng),因此從優(yōu)化摻雜、改善微結(jié)構(gòu)兩方面優(yōu)化P層性能,就能為提高整個電池轉(zhuǎn)換效率作出貢獻(xiàn)。
本文采用PECVD法、在相同工藝參數(shù)條件下制備了五組具有不同硼摻雜比的P型a-Si:H薄膜,并利用AFM、Raman光譜儀、Hall效應(yīng)儀、UV分光光度計(jì)及SIMS等分析手段,研究了硼摻雜比對P型a-Si:H薄膜微觀形貌與結(jié)構(gòu)、光/電學(xué)性能及摻雜效率
2、的影響規(guī)律及機(jī)理,選出了作為非晶硅太陽電池窗口層P型a-Si:H薄膜的最優(yōu)硼摻雜比。同時,對最優(yōu)摻雜比下的P型a-Si:H薄膜進(jìn)行了真空退火處理,以進(jìn)一步提高其綜合性能,并研究薄膜微結(jié)構(gòu)的改變對光/電學(xué)性能的影響。
研究結(jié)果表明:本實(shí)驗(yàn)制得的P型a-Si:H薄膜粗糙度僅為1nm左右,厚度僅在30nm至60nm之間,符合對a-Si:H薄膜太陽電池窗口層的基本要求。隨著硼摻雜比的增加:P型a-Si:H薄膜的短程無序度增大、中程
3、有序度降低、非晶化程度加強(qiáng);光透過率及光學(xué)帶隙值逐漸降低,其中硼摻雜比為0.5%和1.0%時,光學(xué)帶隙均大于1.8eV;電學(xué)性能整體呈上升趨勢,但在硼摻雜比為1.0%時發(fā)生突變,與硼摻雜比為2.5%的樣品相當(dāng),經(jīng)SIMS檢測結(jié)果驗(yàn)證二者硼摻雜濃度為一個數(shù)量級。結(jié)合光/電學(xué)性能分析結(jié)果可知,硼摻雜比為1.0%時可獲得綜合性能最為良好的非晶硅薄膜太陽能電池窗口層材料。
經(jīng)過加熱600℃保溫3h的真空退火處理后,P型a-Si:H
溫馨提示
- 1. 本站所有資源如無特殊說明,都需要本地電腦安裝OFFICE2007和PDF閱讀器。圖紙軟件為CAD,CAXA,PROE,UG,SolidWorks等.壓縮文件請下載最新的WinRAR軟件解壓。
- 2. 本站的文檔不包含任何第三方提供的附件圖紙等,如果需要附件,請聯(lián)系上傳者。文件的所有權(quán)益歸上傳用戶所有。
- 3. 本站RAR壓縮包中若帶圖紙,網(wǎng)頁內(nèi)容里面會有圖紙預(yù)覽,若沒有圖紙預(yù)覽就沒有圖紙。
- 4. 未經(jīng)權(quán)益所有人同意不得將文件中的內(nèi)容挪作商業(yè)或盈利用途。
- 5. 眾賞文庫僅提供信息存儲空間,僅對用戶上傳內(nèi)容的表現(xiàn)方式做保護(hù)處理,對用戶上傳分享的文檔內(nèi)容本身不做任何修改或編輯,并不能對任何下載內(nèi)容負(fù)責(zé)。
- 6. 下載文件中如有侵權(quán)或不適當(dāng)內(nèi)容,請與我們聯(lián)系,我們立即糾正。
- 7. 本站不保證下載資源的準(zhǔn)確性、安全性和完整性, 同時也不承擔(dān)用戶因使用這些下載資源對自己和他人造成任何形式的傷害或損失。
最新文檔
- 不同磷含量和微結(jié)構(gòu)的n型a-Si-H薄膜光、電學(xué)性能的研究.pdf
- p型μc-Si:H薄膜微結(jié)構(gòu)和光電性能的研究.pdf
- MWECR CVD高速制備優(yōu)質(zhì)a-Si-H薄膜的工藝研究.pdf
- 薄膜聲學(xué)超材料微結(jié)構(gòu)特征對其隔聲性能影響的研究.pdf
- MW-ECR CVD制備a-Si-H薄膜的光電特性研究.pdf
- 多層結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)對Si摻雜DLC多層薄膜機(jī)械性能的影響.pdf
- a-Si-H中的光致Er熒光及缺陷熒光研究.pdf
- HfO2薄膜微結(jié)構(gòu)及電學(xué)性能研究.pdf
- ZnS光電薄膜的制備及摻雜對其性能的影響.pdf
- 射頻等離子體CVD法制備a-Si-H薄膜的研究.pdf
- MWECR CVD制備a-Si-H薄膜的沉積速率研究和紅外分析.pdf
- 摻雜大晶粒多晶Si薄膜的制備與電學(xué)特性.pdf
- Si的滲透和摻雜對AZO薄膜結(jié)構(gòu)和特性的影響.pdf
- 石墨烯還原方式對其結(jié)構(gòu)及電學(xué)性能的影響.pdf
- p型nc-Si-H薄膜的熱絲CVD法制備與性能研究.pdf
- PECVD硅薄膜的微觀結(jié)構(gòu)及光-電學(xué)性能研究.pdf
- ZnS熒光薄膜的制備及其表征以及摻雜對其性能的影響.pdf
- MWECR CVD高速沉積a-Si-H薄膜及熱退火微觀機(jī)理研究.pdf
- Co摻雜對FeN薄膜結(jié)構(gòu)和性能的影響.pdf
- 34558.hcp緩沖層和fe摻雜對zno薄膜微結(jié)構(gòu)和光學(xué)性能的影響
評論
0/150
提交評論