MWECR CVD制備a-Si-H薄膜的沉積速率研究和紅外分析.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、為了獲得高速沉積下的高品質(zhì)a-Si∶H薄膜,使其能夠產(chǎn)業(yè)化,微波電子回旋共振化學氣相沉積(MWECR CVD)方法在國際上受到了人們廣泛的重視.MWECRCVD方法具有電子和離子產(chǎn)生率高等優(yōu)點,人們期望它能在較高的沉積速率下獲得器件級質(zhì)量的a-Si∶H薄膜.因此,我們用MWECRCVD系統(tǒng)在不同的工藝條件下沉積了a-Si∶H薄膜.影響a-Si∶H薄膜沉積速率的機制非常復雜,這些機制與制備工藝條件有著密切的聯(lián)系.我們研究了工作氣壓、SiH

2、<,4>氣體流量和襯底溫度等工藝條件與a-Si∶H薄膜沉積速率的關系.同時為了獲得高沉積速率、大面積均勻的a-Si∶H薄膜,我們改變等離子體的磁場位形為磁鏡磁場.研究了磁鏡磁場對薄膜沉積速率及均勻性的影響,并且在實驗中得到了高沉積速率、大面積均勻的a-Si∶H薄膜.a-Si∶H薄膜的光電特性同膜中的氫存在密切關系.Fourier紅外透射(FTIR)譜是研究氫化非晶硅(a-Si∶H)薄膜中氫含量(C<,H>)及硅-氫鍵合模式(Si-H<,

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