版權(quán)說明:本文檔由用戶提供并上傳,收益歸屬內(nèi)容提供方,若內(nèi)容存在侵權(quán),請進(jìn)行舉報(bào)或認(rèn)領(lǐng)
文檔簡介
1、改善心血管生物材料的抗凝血性能是國內(nèi)外生物材料研究領(lǐng)域的重大課題。表面改性技術(shù)已成為改善無機(jī)生物材料血液相容性的有效手段,但目前尚無一種成熟的無機(jī)材料的抗凝血性能能夠取代低溫各向同性熱解碳(LTIC)在臨床應(yīng)用中的地位。Si-NO系薄膜作為一種新型的生物材料尚處于嘗試性的研究階段,但目前的研究結(jié)果表明:Si-NO系薄膜具有潛在優(yōu)異的抗凝血性能(接近或優(yōu)于LTIC)。 本論文采用脈沖非平衡磁控濺射的方法,通過調(diào)整N<,2>流量和控
2、制沉積工藝參數(shù)(如靶基距、沉積壓力)制得了不同鍵合結(jié)構(gòu)的Si-NO薄膜。采用X射線衍射(xRD)、X射線光電子能譜(XPS)和傅立葉變換紅外吸收光譜(FTIR)綜合分析薄膜的成分結(jié)構(gòu),結(jié)果表明: 隨著N<,2>流量的增加(0~40sccm),真空腔中過多的N離子引起Si靶中毒,從而導(dǎo)致Si-NO薄膜的厚度和沉積速率下降。靶基距減小(85~50mm)使得到達(dá)基片表面的N離子流增加,即更多的N原子結(jié)合到薄膜中。 隨著N<,2
3、>流量的增加(0~40sccm),薄膜的化學(xué)成分在SiN<,0.04>O<,0.45>~SiN<,0.7>O<,0.27>之間變化。本論文所制備的薄膜結(jié)構(gòu)可分為RMM和RBM兩種結(jié)構(gòu)模式。RMM結(jié)構(gòu)薄膜中Si的結(jié)合狀態(tài)是以無機(jī)Si<'0>為主,a-SiO<,2>相和a-Si<,3>N<,4>相較為均勻地分布在Si<'0>基質(zhì)中;RBM中Si的結(jié)合狀態(tài)是以Si<'2+>、Si<'3+>、Si<'4+>價(jià)態(tài)存在于SiN<,v>O<,4-v>
4、(v=0,1,2,3,4)化合物相和a-Si<,3>N<,4>相化合物中,其含量的多少取決于變化的沉積工藝參數(shù)。 Si-NO薄膜的禁帶寬度在1.41~4.41eV之間變化,RBM結(jié)構(gòu)的禁帶寬度大于RMM結(jié)構(gòu)的禁帶寬度。RMM結(jié)構(gòu)的薄膜中存在的無機(jī)Si<'0>是其禁帶偏窄的根本原因;RBM結(jié)構(gòu)的薄膜中的N、O原子含量的增加使得薄膜禁帶寬度增加。 RMM結(jié)構(gòu)的薄膜,隨N、O原子含量比(N/O)的增加,薄膜的親水性下降;RBM
5、結(jié)構(gòu)的Si-NO薄膜,隨N、O原子含量比(N/O)的增加,薄膜的親水性增加。 本論文在體外系統(tǒng)性評價(jià)了Si-NO薄膜的抗凝血性能,并進(jìn)一步探討了薄膜制備工藝、成分結(jié)構(gòu)、物化性能和薄膜抗凝血性之間的關(guān)聯(lián)性,建立了薄膜表面結(jié)構(gòu)狀態(tài)與薄膜血液相容性間的相關(guān)關(guān)系: RMM結(jié)構(gòu)的Si-NO薄膜中,N、O原子含量比(N/O)較低的薄膜,其抗凝血性能較好;RBM結(jié)構(gòu)的Si-NO薄膜中,N、O原子含量比(N/O)較高的薄膜,其抗凝血性能
溫馨提示
- 1. 本站所有資源如無特殊說明,都需要本地電腦安裝OFFICE2007和PDF閱讀器。圖紙軟件為CAD,CAXA,PROE,UG,SolidWorks等.壓縮文件請下載最新的WinRAR軟件解壓。
- 2. 本站的文檔不包含任何第三方提供的附件圖紙等,如果需要附件,請聯(lián)系上傳者。文件的所有權(quán)益歸上傳用戶所有。
- 3. 本站RAR壓縮包中若帶圖紙,網(wǎng)頁內(nèi)容里面會(huì)有圖紙預(yù)覽,若沒有圖紙預(yù)覽就沒有圖紙。
- 4. 未經(jīng)權(quán)益所有人同意不得將文件中的內(nèi)容挪作商業(yè)或盈利用途。
- 5. 眾賞文庫僅提供信息存儲(chǔ)空間,僅對用戶上傳內(nèi)容的表現(xiàn)方式做保護(hù)處理,對用戶上傳分享的文檔內(nèi)容本身不做任何修改或編輯,并不能對任何下載內(nèi)容負(fù)責(zé)。
- 6. 下載文件中如有侵權(quán)或不適當(dāng)內(nèi)容,請與我們聯(lián)系,我們立即糾正。
- 7. 本站不保證下載資源的準(zhǔn)確性、安全性和完整性, 同時(shí)也不承擔(dān)用戶因使用這些下載資源對自己和他人造成任何形式的傷害或損失。
最新文檔
- ZnO薄膜在Si(100)襯底上的制備及性能研究.pdf
- Ti-N及Si-N薄膜的制備及其性能研究.pdf
- Si1-xAlxN-Ag-Ta低輻射薄膜制備及性能研究.pdf
- (Cr,Si)-GLC薄膜的濺射制備工藝及結(jié)構(gòu)性能的研究.pdf
- Ti-Si-N-Ti-Si-Al-N納米結(jié)構(gòu)薄膜的制備與性能研究.pdf
- Me-Si-N薄膜的制備與性能表征.pdf
- Si基摻鑭鈦酸鉍鐵電薄膜的制備及性能研究.pdf
- NdFeB薄膜的制備及性能研究.pdf
- Si摻雜ZnO薄膜的制備及光學(xué)性質(zhì)的研究.pdf
- IGZO薄膜的制備及性能研究.pdf
- AZO薄膜的制備及性能研究.pdf
- SiC-Si薄膜的CVD制備研究.pdf
- a-Si TFT用氮化硅薄膜的制備及其性能研究.pdf
- PECVD法制備的ZnO-Si薄膜的結(jié)構(gòu)與性能.pdf
- 溶膠-凝膠法制備Si基PZT-LSMO-LNO復(fù)合薄膜及磁電性能研究.pdf
- nc-Si-H薄膜磁控濺射法制備與性能研究.pdf
- CHON薄膜的制備及光電性能研究.pdf
- 中頻磁控濺射制備a-Si薄膜與SiN薄膜的工藝研究及表征.pdf
- BaM鐵氧體薄膜的制備及性能研究.pdf
- 摻雜SiC薄膜的制備及性能研究.pdf
評論
0/150
提交評論