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文檔簡介
1、Al摻雜的ZnO(AZO)薄膜作為一種新興的半導(dǎo)體光電材料,不僅具有高電導(dǎo)率,可見光范圍的高透過率,而且儲量豐富,價格低廉,在氫等離子體中穩(wěn)定性好,現(xiàn)已成為替代ITO薄膜的首選材料。本文采用實驗室自制的超高密度的AZO 陶瓷靶材,運用射頻磁控濺射法制備了AZO薄膜,用XRD、SEM、四探針測試儀、紫外-可見分光光度計對薄膜的性能進(jìn)行表征和分析,研究了不同的工藝參數(shù)對薄膜結(jié)構(gòu),形貌,電學(xué),光學(xué)性能的影響,并試探性的研制了AZO/ZnO、I
2、TO/AZO復(fù)合薄膜。主要結(jié)論如下:XRD和SEM的分析表明,所有AZO薄膜均具有C軸方向的擇優(yōu)取向。隨著薄膜基底溫度的增加,薄膜的結(jié)晶性能變好,但當(dāng)高于450℃后,由于高溫接近玻璃的熔點導(dǎo)致薄膜結(jié)晶性變差。濺射功率的提高有利于提高薄膜的結(jié)晶性能。薄膜在較低的氧氬比(0.1%)下,薄膜結(jié)晶性能變差,但較高的氧氬比有利于薄膜的(002)面擇優(yōu)生長。薄膜的電阻率隨著基底溫度的增加而降低,溫度大于450 ℃后,電阻率又增加。隨著濺射時間的增加
3、,薄膜的電阻率降低,這是由于薄膜厚度增加,晶粒長大,晶界散射降低,遷移率提高。薄膜的電阻率隨著濺射功率的增加而減小,這是由于功率的增加可以同時增加載流子濃度和遷移率。隨著靶基距的增加,薄膜的電阻率增加,這是因為靶基距的增加減少了濺射離子與其他粒子的碰撞,從而降低了濺射產(chǎn)率和粒子能量;但是靶基距過小會增加薄膜的電阻率。電阻率隨氣壓的增加先減后增,在0.3Pa時具有最低的電阻率。隨著氧分壓的增加,薄膜的電阻率升高。薄膜的透過率隨溫度的增加先
4、增后減,在400 ℃時,透過率最大為84.47%。濺射時間的增加會導(dǎo)致薄膜透過率的下降,在200 ℃的基底溫度下AZO 薄膜的短波吸收限會隨濺射時間的增加向長波方向移動。隨著功率的增加,薄膜的透過率降低。隨著靶基距的增加,薄膜的透過率呈增加趨勢。薄膜的透過率隨著濺射氣壓、氧氬比的增加均呈先增后減的趨勢。ZnO緩沖層的加入有利于提高AZO薄膜的結(jié)晶性能,且隨AZO薄膜,ZnO薄膜厚度的增加結(jié)晶性能變好。增加ZnO緩沖層的厚度有利于提高薄膜
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