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1、在本文中,利用磁控濺射法,通過AZO及SiO2雙靶共濺射在石英玻璃表面制備AZO薄膜。在實(shí)驗(yàn)過程中通過功率調(diào)節(jié),以膜厚為函數(shù)制備摻雜比例為1:1、2:1、4:1(AZO膜厚:SiO2膜厚)的樣品。同時(shí),在沉積過程中改變沉積溫度(25℃,100℃,300℃,500℃)。結(jié)果分析表明,4:1摻雜500℃沉積樣品的晶粒尺寸最大,尺寸約為36nm。最小電阻率也出現(xiàn)在500℃,4:1摻雜的樣品,電阻率約為1.79×10-1Ω·cm。通過摻入一定比
2、例的SiO2提高了AZO的透光性,透光率為87％-90％。提高沉積溫度或加大AZO的摻入量使樣品的禁帶寬度減小。摻入一定量的SiO2顯然會(huì)降低AZO在可見光范圍內(nèi)的折射率,有趣的是提高沉積溫度也可以達(dá)到相同的效果且可以保證很小的電阻率。
同時(shí),以石英玻璃為基底研究了不同的退火溫度及鋁的沉積溫度對(duì)非晶硅薄膜晶化的影響。通過掃描電子顯微鏡(SEM)對(duì)不同溫度沉積的鋁薄膜表面結(jié)構(gòu)及形貌進(jìn)行了分析；并利用光學(xué)顯微鏡,拉曼散射儀(R
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