2023年全國碩士研究生考試考研英語一試題真題(含答案詳解+作文范文)_第1頁
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2、:2Q始:12:型:盈絲AbstractTFT(ThinFilmTraIlsistor)is、videlyusedfordiSplaysThemainTFTisa_Si:HTFTwhichisswitchingdeviceofactivema打iXliquidcrystaldisplayWiththewideapplicationofaSj:HTFT,theestablishmentofitsmodelsbecomesavervimpo

3、rtantquestionforstudyAccuratea_Si:HTFTmodelsarerequiredforSPICEsimulatorsSevemlpapershavealreadybeenpublishedregardingmephvsicsandthemodelsofaSi:HTFT’but出evareinsu街cientfortoday’sad瑚cedLCDsimulationsThjsthesismainlvstudi

4、edSPICEmodelforaSi:HTFTwhichisapanofnational“863”project,“StudyofLargeSizea11dhi曲qual畸a—SiTFTOLEDtechnolOgy”TheanalysisaIldmodelsareapplicableto血esimulationoftoday’sopticaJcharacteriz“onsofFlat,PaIlelDisplavsIntllisthesi

5、sthenewmOdelsofa—Si:HTFTareestablishedforSPICE,onmebasisofinverted—s詛ggerstmctureaSi:HTFTofbackchallnelstoppedt),pesC刪一v01tageandc印ac“a11cevoltagearealsotestedFromtllecapacitancecurve,theprocessparametersareex廿acted,such

6、asdopantconcentration,fixedchargedensjty,interfacestate,etcThispaperanalyzedlocalizedstate,subtllrcsh01dcurrent,ofrleakagecurrent,thefielde丘毫ctmobilit_Ir,biasandfrequencv—dependentcapacitance,themresh01dvonagechangewithv

7、oltagestressa11ddevicetemperature,etcThisnlesisfocusesontheestablishmentofnew捌ncun己ntmodelsintlle1inearregion,thesaturationregion,thefonvardaIldreversesub—mresholdregion,a11dnewofBleakagecurrentmodelsintheo行regiononbased

8、ofMOSFETmodelIIladditionⅡleprecisebiasand行equency—dependemMIScapacitancemodelsarcestablishedSomemodelpar鋤etersareextracted,suchasⅡ1rcsholdvoltage(VTo),mobility(“0)etcSimulationresultsbyusingtllesemodelsaJldpar踟etersshowg

9、oodagreementbetweenmeasuredandsimulateddata1、hemodelsa∞applicabletotheaSi:HTFTdeviceswithdi虢remprocessstmcturesThemodelingprocedureisusefmtoTFTdesigIlers,Keywords:a—Si:HTFTSPlCEmodel,IVcharacterization,CVcharacterization

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