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文檔簡介
1、隨著功率集成電路的發(fā)展，橫向雙摻雜金屬氧化物半導體(LDMOS)已經(jīng)廣泛應(yīng)用于功率集成電路和微波集成電路中。LDMOS的工作環(huán)境導致了它會有比較顯著的熱載流子注入效應(yīng)。熱載流子效應(yīng)會引起器件參數(shù)的退化，甚至失效，從而降低器件以致整個電路的壽命。如今器件模型和電路可靠性都相當重要，一個能準確反映器件和電路可靠性的模型將會對電路設(shè)計提供很大的幫助。
本論文的目標是建立一個帶熱載流子效應(yīng)的LDMOS直流SPICE模型。首先分析了LD
2、MOS的結(jié)構(gòu)和漂移區(qū)特性，提出了一個類似于子電路模型的LDMOS結(jié)構(gòu)，在BSIM3v3的SPICE模型基礎(chǔ)上增加一個漂移區(qū)模型，通過verilog-A語言建立一個有效的LDMOS器件直流SPICE緊湊模型，其中漂移區(qū)模型由公式推導得出，并由verilog-A語言實現(xiàn)，隨后驗證了此LDMOS模型的適用性。在此基礎(chǔ)上，通過對LDMOS器件熱載流子效應(yīng)特性的深入分析，在SPICE模型中加入熱載流子效應(yīng)。然后對實際的LDMOS器件進行應(yīng)力退化測
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