LDMOS熱載流子效應(yīng)的SPICE模型的研究與實(shí)現(xiàn).pdf

1、隨著功率集成電路的發(fā)展，橫向雙摻雜金屬氧化物半導(dǎo)體(LDMOS)已經(jīng)廣泛應(yīng)用于功率集成電路和微波集成電路中。LDMOS的工作環(huán)境導(dǎo)致了它會(huì)有比較顯著的熱載流子注入效應(yīng)。熱載流子效應(yīng)會(huì)引起器件參數(shù)的退化，甚至失效，從而降低器件以致整個(gè)電路的壽命。如今器件模型和電路可靠性都相當(dāng)重要，一個(gè)能準(zhǔn)確反映器件和電路可靠性的模型將會(huì)對(duì)電路設(shè)計(jì)提供很大的幫助。
　　本論文的目標(biāo)是建立一個(gè)帶熱載流子效應(yīng)的LDMOS直流SPICE模型。首先分析了LD

2、MOS的結(jié)構(gòu)和漂移區(qū)特性，提出了一個(gè)類似于子電路模型的LDMOS結(jié)構(gòu)，在BSIM3v3的SPICE模型基礎(chǔ)上增加一個(gè)漂移區(qū)模型，通過(guò)verilog-A語(yǔ)言建立一個(gè)有效的LDMOS器件直流SPICE緊湊模型，其中漂移區(qū)模型由公式推導(dǎo)得出，并由verilog-A語(yǔ)言實(shí)現(xiàn)，隨后驗(yàn)證了此LDMOS模型的適用性。在此基礎(chǔ)上，通過(guò)對(duì)LDMOS器件熱載流子效應(yīng)特性的深入分析，在SPICE模型中加入熱載流子效應(yīng)。然后對(duì)實(shí)際的LDMOS器件進(jìn)行應(yīng)力退化測(cè)