熱載流子壽命在溫度效應(yīng)下DC與AC相關(guān)性的研究.pdf

1、隨著大規(guī)模、超大規(guī)模集成電路的進(jìn)一步發(fā)展，MOS器件的集成度不斷提高，器件的尺寸不斷減小。在MOS器件的尺寸不斷減小的同時(shí)，器件的工作電壓卻沒有等比減小，這就使器件的溝道區(qū)電場(chǎng)大幅度提高。載流子在溝道區(qū)高電場(chǎng)的作用下獲得足夠的能量翻越界面勢(shì)壘注入到柵氧化層中，在界面產(chǎn)生界面態(tài)或被柵氧化層中的陷阱俘獲，界面態(tài)和氧化物電荷的增加使器件的特性發(fā)生退變?nèi)玳撾妷浩?、跨?dǎo)下降、輸出特性曲線下移等。因此，熱載流子效應(yīng)逐漸成為影響集成電路進(jìn)一步發(fā)展的

2、主要因素之一。 本文著重從熱載流子在不同溫度條件下器件退化速度不同的特性及使用可靠性模型兩方面開展理論和實(shí)驗(yàn)研究，主要內(nèi)容包括： (1)分析比較了N型場(chǎng)效應(yīng)晶體管在不同溫度和不同應(yīng)力條件下熱載流子效應(yīng)的變化。 (2)設(shè)計(jì)并建立了具有兩個(gè)緩沖器和一個(gè)觸發(fā)器連接的一個(gè)由CMOS反相器組成的23*26級(jí)環(huán)型振蕩器電路來作為器件交流情況的應(yīng)力測(cè)試，并在不同溫度和不同應(yīng)力條件下進(jìn)行可靠性測(cè)試，對(duì)結(jié)果進(jìn)行分析。 (3