應(yīng)變硅CMOS器件的自熱效應(yīng)與熱載流子效應(yīng).pdf_第1頁
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文檔簡介

1、隨著集成電路技術(shù)的快速發(fā)展，等比例縮小技術(shù)已經(jīng)不能滿足摩爾定律，應(yīng)變硅MOSFETs技術(shù)成為后硅時代研究的熱點(diǎn)。應(yīng)變硅技術(shù)通過拉伸或壓縮硅晶格達(dá)到不減小器件尺寸仍可提高器件性能的目的，同時應(yīng)變硅技術(shù)與傳統(tǒng)體硅工藝兼容，減少了改善工藝設(shè)施所帶來的投資，降低了生產(chǎn)成本。研究應(yīng)變硅CMOS器件的性能以及可靠性問題也日益重要。 本研究介紹了幾種常用的單軸應(yīng)變以及雙軸應(yīng)變的應(yīng)變機(jī)理、材料性能和工藝條件。分析了雙軸應(yīng)變中馳豫SiGe緩沖層的

2、組分、厚度和生長方式。研究了雙軸應(yīng)變硅CMOS器件的自熱效應(yīng)和熱載流子效應(yīng)。由于雙軸應(yīng)變硅CMOS器件引入了導(dǎo)熱率較硅低的SiGe固溶體，這阻礙了器件在加電工作時的散熱，所以比較體硅CMOS器件，自熱效應(yīng)在雙軸應(yīng)變硅器件中對可靠性的影響要大得多。論文通過對器件的材料和結(jié)構(gòu)的分析，說明了產(chǎn)生自熱效應(yīng)的原因，介紹了現(xiàn)階段對自熱效應(yīng)的測量方式和抑制自熱效應(yīng)的方法。應(yīng)用ISE-TCAD10．0軟件對體Si器件與雙軸應(yīng)變硅器件的轉(zhuǎn)移特性進(jìn)行了仿真

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