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文檔簡介
1、應(yīng)變Si材料具有較高的載流子遷移率，且與傳統(tǒng)的Si工藝兼容已成為國內(nèi)外的研究熱點(diǎn)，同時也是由于應(yīng)變Si禁帶寬度的減小和載流子遷移率的增加等因素影響，使得應(yīng)變Si MOS的熱載流子效應(yīng)也更加顯著。所以應(yīng)變Si MOS器件可靠性等問題已成為制約其發(fā)展的瓶頸。
本論文在分析應(yīng)變Si基本物理特性、應(yīng)變引入機(jī)制和單軸應(yīng)變Si NMOS基本結(jié)構(gòu)的基礎(chǔ)上，重點(diǎn)研究了單軸應(yīng)變Si NMOS的熱載流子效應(yīng)。首先分析了單軸應(yīng)變Si NMOS器
2、件熱載流子效應(yīng)產(chǎn)生的機(jī)制以及熱載流子效應(yīng)對單軸應(yīng)變SiNMOS界面特性的影響，建立了熱載流子效應(yīng)引起閾值電壓退化的模型。該模型重點(diǎn)考慮了熱載流子效應(yīng)引起的界面態(tài)的影響，利用Matlab對該模型進(jìn)行了分析，并通過Silvaco軟件進(jìn)行了驗證。然后研究了熱載流子效應(yīng)致單軸應(yīng)變Si NMOS直流特性的退化機(jī)理，建立了熱載流子效應(yīng)引起的襯底電流、漏極電流、亞閾值擺幅等直流參數(shù)的退化模型，利用Matlab模擬了這些模型，并使用Silvaco軟件對
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