單軸應(yīng)變nmNMOS器件結(jié)構(gòu)研究.pdf

1、應(yīng)變Si技術(shù)由于其具有高的載流子遷移率，與當(dāng)前主流的Si工藝相兼容等優(yōu)點(diǎn)，在CMOS工藝上得到了廣泛的應(yīng)用。SiN帽層和SiC源漏作為兩種單軸應(yīng)變Si技術(shù)，可以有效提高nmNMOS的電子遷移率，從而增強(qiáng)器件性能。
　　本論文在90nm、65nm和45nmNMOS器件中采用SiN致應(yīng)變技術(shù)來(lái)提高器件性能。器件的柵結(jié)構(gòu)和應(yīng)力膜結(jié)構(gòu)是影響溝道應(yīng)力的重要因素，從增大溝道應(yīng)力和提高電學(xué)特性兩個(gè)方面進(jìn)行研究，提出了相對(duì)優(yōu)化的應(yīng)變NMOS器件。

2、通過(guò)仿真模擬，90nm、65nm、45nm應(yīng)變NMOS驅(qū)動(dòng)電流相對(duì)常規(guī)器件分別提升了26.8％、28.7％和29.9％。
　　在32nmNMOS器件中采用SiC源漏致應(yīng)變技術(shù)來(lái)提高器件性能。SiC源漏結(jié)構(gòu)和Si:C比是影響溝道應(yīng)力的重要因素，從溝道應(yīng)力和電學(xué)性能兩個(gè)方面進(jìn)行仔細(xì)研究，得到了相對(duì)優(yōu)化的應(yīng)變NMOS器件。通過(guò)仿真模擬，32nm應(yīng)變NMOS驅(qū)動(dòng)電流較常規(guī)器件提升了33.7％。
　　為了得到更大的溝道應(yīng)力，在90nm