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1、SiGe BiCMOS技術(shù)具有高性能、低成本的特點(diǎn)，發(fā)展前景好，因此對(duì)SiGeBiCMOS技術(shù)進(jìn)行研究具有非常實(shí)際的意義。應(yīng)變硅材料中應(yīng)力和應(yīng)變的分布對(duì)提升器件性能具有理論指導(dǎo)意義。 本文首先對(duì)雙軸應(yīng)變材料特性進(jìn)行了分析，特別是對(duì)遷移率、臨界厚度、能帶分裂的研究，為提出SiGe BiCMOS模型奠定了理論基礎(chǔ)。在均勻彎曲的假設(shè)基礎(chǔ)上，本文提出了計(jì)算SiGe/Si異質(zhì)結(jié)中應(yīng)力和應(yīng)變分布的理論模型，并在厚襯底條件下，進(jìn)行了化簡(jiǎn)。該模
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