已閱讀1頁，還剩79頁未讀， 繼續(xù)免費閱讀
版權說明：本文檔由用戶提供并上傳，收益歸屬內(nèi)容提供方，若內(nèi)容存在侵權，請進行舉報或認領
文檔簡介
1、SiGe技術利用SiGe/Si之間的帶隙差和晶格失配率，將能帶工程與應變工程引入Si基器件與集成電路的制造當中，提高了器件載流子遷移率和器件結構設計的靈活性，從而增強了Si基器件電學性能，為Si集成電路的持續(xù)發(fā)展提供了一條有效的途徑。
本文從弛豫Si與SiGe材料的基本物理特性與應變SiGe材料的制備工藝入手，分析了應變SiGe材料的應力引入機制，基于弛豫Si與SiGe材料的能帶結構，重點研究了應變SiGe材料空穴遷移率增
2、強機制，建立應變SiGe材料的遷移率、介電常數(shù)、價帶帶隙差等主要物理參數(shù)的解析模型；基于器件物理，結合應變SiGe PMOS結構與制造工藝特點，采用耗盡層近似建立了量子阱溝道應變SiGe PMOS的閾值電壓模型，該模型反映了襯底與溝道摻雜濃度，溝道鍺組分，硅帽厚度等物理與幾何結構參數(shù)對閾值電壓的影響；在以上研究的基礎上，研究分析了應變SiGe材料制備溫度與生長速度、離子注入能量與劑量、快速熱退火時間與溫度等關鍵工藝參數(shù)對量子阱溝道應變S
溫馨提示
- 1. 本站所有資源如無特殊說明，都需要本地電腦安裝OFFICE2007和PDF閱讀器。圖紙軟件為CAD,CAXA,PROE,UG,SolidWorks等.壓縮文件請下載最新的WinRAR軟件解壓。
- 2. 本站的文檔不包含任何第三方提供的附件圖紙等，如果需要附件，請聯(lián)系上傳者。文件的所有權益歸上傳用戶所有。
- 3. 本站RAR壓縮包中若帶圖紙，網(wǎng)頁內(nèi)容里面會有圖紙預覽，若沒有圖紙預覽就沒有圖紙。
- 4. 未經(jīng)權益所有人同意不得將文件中的內(nèi)容挪作商業(yè)或盈利用途。
- 5. 眾賞文庫僅提供信息存儲空間，僅對用戶上傳內(nèi)容的表現(xiàn)方式做保護處理，對用戶上傳分享的文檔內(nèi)容本身不做任何修改或編輯，并不能對任何下載內(nèi)容負責。
- 6. 下載文件中如有侵權或不適當內(nèi)容，請與我們聯(lián)系，我們立即糾正。
- 7. 本站不保證下載資源的準確性、安全性和完整性, 同時也不承擔用戶因使用這些下載資源對自己和他人造成任何形式的傷害或損失。
最新文檔
- 應變SiGe PMOSFET制造工藝與熱載流子效應研究.pdf
- 高性能SiGe HBT結構設計與制造技術研究.pdf
- 高速-高性能應變Si-SiGe異質結器件研究.pdf
- SOI SiGe HBT性能與結構設計研究.pdf
- SiGe BiCMOS集成器件設計與關鍵工藝研究.pdf
- 高性能纖維增強混凝土結構設計方法研究.pdf
- 片上高性能互連結構設計.pdf
- 微光成像器件制冷結構設計與噪聲性能分析研究.pdf
- 功率VDMOS器件結構設計.pdf
- 基于SiGe工藝的射頻前端高性能模塊設計.pdf
- 鋰離子電池高性能負極材料的結構設計與研究.pdf
- 基于SPPs的光束調控器件結構設計與性能分析.pdf
- 石墨烯基高性能鋰電材料結構設計與界面調控.pdf
- SOC中高性能低功耗總線通信結構設計.pdf
- 高性能浮點乘加部件的VISI結構設計.pdf
- 高壓SOI LDMOS器件結構設計與模擬研究.pdf
- InAlN-GaNHEMT器件結構設計與模型.pdf
- 基于TSV的NoC高性能互連結構設計.pdf
- 高性能鋰離子電池負極材料的新型結構設計與研究.pdf
- 20GHz SiGe HBT器件設計與工藝研究.pdf
評論
0/150
提交評論