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1、實驗測量和理論模擬結(jié)果均表明，隨著MOS器件尺寸縮小到納米尺度，過剩噪聲的主要成分將從以熱噪聲為主轉(zhuǎn)變?yōu)橐陨⒘Ｔ肼暈橹??；诩{米MOSFET散粒噪聲與介觀導(dǎo)體散粒噪聲的物理起源一致，本文應(yīng)用介觀物理散粒噪聲理論，建立了準彈道輸運納米MOSFET散粒噪聲模型，并得到了其散粒噪聲在費米相關(guān)性、庫侖相關(guān)性和二者共同存在的三種情形下的抑制因子。在此基礎(chǔ)上，對各抑制因子隨源漏電壓、柵極電壓、溫度及源漏摻雜濃度的變化特性進行了研究。兩者共同作用的抑
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