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1、該文以a-Si薄膜的低溫、快速晶化為目標(biāo),從實(shí)驗(yàn)和理論上開(kāi)展了深入的研究.著重深入研究了Al誘導(dǎo)橫向晶化的p-Si薄膜的形貌、微結(jié)與電學(xué)特性.分析了p-Si薄膜的優(yōu)選晶向與晶化時(shí)間、晶化溫度以及a-Si/Al膜存比的密切關(guān)系;討論了微波頻率、微波功率以及柵絕緣層a-SiN<,x>:H膜等因素對(duì)a-Si薄膜結(jié)晶程度的影響;分析了樣呂的結(jié)晶度、微波功率、a-Si與a-SiN<,x>:H之間界面態(tài)、表面粗糙度等以p-Si薄膜電阻率所產(chǎn)生的影響
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