Si-,1-x-Ge-,x-薄膜的PECVD制備與Al誘導(dǎo)低溫晶化.pdf

1、多晶硅鍺薄膜在微電子制造、光電集成和薄膜太陽能電池等領(lǐng)域有廣泛的應(yīng)用。除了在某些方面具有接近單晶SiGe的性能外，多晶SiGe薄膜更具有制造成本低的優(yōu)點(diǎn)。特別是隨著大面積尺寸電子器件的發(fā)展，廉價(jià)襯底被廣泛采用，使得各種低溫沉積技術(shù)變得越來越重要。本論文采用等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積(PECVD)結(jié)合A1誘導(dǎo)晶化制備了性能優(yōu)異的多晶SiGe薄膜，主要開展了以下工作： (1)在系統(tǒng)闡述了多晶SiGe薄膜的優(yōu)異性能及其在器件中的應(yīng)用基礎(chǔ)

2、上，評(píng)述了等離子體在PECVD制備SiGe薄膜中的作用，分析了非晶SiGe薄膜的生長機(jī)理，優(yōu)化了PECVD制備SiGe薄膜的工藝參數(shù)。PECVD制備的薄膜一般為非晶態(tài)，在一定的溫度下對(duì)所制備的薄膜進(jìn)行了熱退火處理得到了多晶結(jié)構(gòu)SiGe薄膜。 (2)研究了A1誘導(dǎo)非晶SiGe薄膜的晶化，證實(shí)了由于A1的誘導(dǎo)作用，薄膜晶化溫度大大降低；退火溫度和退火時(shí)間均影響著薄膜的晶化，隨著退火溫度的升高和退火時(shí)間的增長，薄膜結(jié)晶度增加，晶粒越來