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1、PECVD薄膜沉積系統(tǒng)在半導(dǎo)體薄膜沉積過(guò)程中得到了非常廣泛的運(yùn)用,同時(shí)也是制造非晶硅薄膜太陽(yáng)電池的主要設(shè)備。PECVD沉積的氮化硅薄膜,沉積在晶體硅太陽(yáng)電池的表面,對(duì)太陽(yáng)光有良好的減反射作用,并且對(duì)晶體硅表面和體內(nèi)的缺陷起到很好的鈍化作用,從而大大的提高了太陽(yáng)電池的轉(zhuǎn)換效率。 現(xiàn)在,國(guó)內(nèi)在生產(chǎn)和科研單位運(yùn)用PECVD系統(tǒng)沉積薄膜已經(jīng)相當(dāng)?shù)膹V泛。但是科研單位主要是小面積的PECVD的沉積系統(tǒng),而生產(chǎn)線上使用的大面積連續(xù)PECVD沉
2、積系統(tǒng)主要是依靠國(guó)外進(jìn)口。 本文設(shè)計(jì)并實(shí)現(xiàn)了全自動(dòng)控制大面積連續(xù)生產(chǎn)SiNx薄膜PECVD沉積設(shè)備的系統(tǒng)。本論文主要的特點(diǎn)是具有很強(qiáng)的工程性,并且直接為產(chǎn)業(yè)化服務(wù),該成果直接用于我國(guó)首臺(tái)自主研發(fā)的大面積、連續(xù)生產(chǎn)的全自動(dòng)PECVD沉積系統(tǒng)。 本論文包括以下三個(gè)方面的研究?jī)?nèi)容: 1、根據(jù)大面積連續(xù)生產(chǎn)SiNx薄膜PECVD自動(dòng)沉積系統(tǒng)的要求實(shí)現(xiàn)設(shè)備硬件的優(yōu)化設(shè)計(jì)。 2、大面積連續(xù)生產(chǎn)SiNx薄膜PECVD沉
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