2023年全國(guó)碩士研究生考試考研英語(yǔ)一試題真題（含答案詳解+作文范文）_第1頁(yè)
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1、硅氧氮薄膜(SiO<,x>N<,y>)是硅集成電路中重要的鈍化膜和介質(zhì)膜,并在超大規(guī)模集成電路中得到了越來越多的應(yīng)用.而氮化硅薄膜(SiN<,x>)作為一種表面鈍化和絕緣薄膜材料,其優(yōu)異的物理和化學(xué)特性引起了廣泛的關(guān)注.所以探尋它們是否具有發(fā)光的可能性,從而成為合適的硅基發(fā)光材料是十分有意義的.該論文嘗試采用雙離子束濺射方法,通過改變有關(guān)的工藝參數(shù),制備了兩種系列的薄膜:SiO<,x>N<,y>薄膜和SiN<,x>薄膜,并且在N<,2>

2、氣氛保護(hù)下適當(dāng)對(duì)它們進(jìn)行了不同溫度的退火處理,然后進(jìn)行光致發(fā)光(PL)譜的測(cè)試,通過XRD,XPS,FTIR等測(cè)試手段分析了薄膜的結(jié)構(gòu)和表面狀況,并與光致發(fā)光的結(jié)果進(jìn)行了對(duì)比研究.光致發(fā)光(PL)譜的研究結(jié)果表明,在225nm波長(zhǎng)的光的激發(fā)下,SiO<,x>N<,y>薄膜的主要發(fā)光峰位位于600nm(2.06eV).SiN<,x>薄膜的主要發(fā)光峰位位于470(2.6eV),520nm(2.4eV)和620nm(2.0eV).結(jié)合光致發(fā)光

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