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文檔簡介
1、VO2是一種具有廣泛用途的熱致相變材料，在68℃時發(fā)生半導(dǎo)體-金屬相變，由低溫單斜結(jié)構(gòu)變?yōu)楦邷厮姆浇鸺t石結(jié)構(gòu)，并伴隨發(fā)生光、電、磁等性能的可逆性突變。
第一章簡要介紹了VO2的晶體結(jié)構(gòu)及類型，VOx薄膜的應(yīng)用以及常見的VOx薄膜制備方法，概述了VO2薄膜作為一種新型薄膜材料的應(yīng)用前景。
第二章介紹了磁控濺射鍍膜的機理和工藝特點，直流磁控濺射制備摻雜與未摻雜VOx薄膜的實驗過程，以及實驗中用到的薄膜表征技術(shù)。<
2、br> 第三章研究了直流磁控濺射制備VOx薄膜的工藝，分析了退火氣氛、退火溫度、退火時間、氧氬比、工作氣壓、襯底溫度等對VOx薄膜電阻突變特性的影響，同時研究了VOx薄膜AFM形貌、XRD。結(jié)果表明：O2/Ar為1.0∶15、濺射功率120W、工作氣壓2.0Pa并且在氮氣中退火的VOx薄膜結(jié)晶質(zhì)量好，VO2相含量多，電阻值的突變大。
第四章研究了雙靶共濺射制備摻鎢VOx薄膜的工藝，分析了改變鎢靶濺射功率以及共濺射時間
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