VO-,2-薄膜MTFET的紅外吸收特性.pdf

1、VO2 是一種固態(tài)相變材料，隨著溫度或電子濃度的變化，它的晶態(tài)結(jié)構(gòu)會從半導(dǎo)體態(tài)相變到金屬態(tài)，而且這種相變是可逆的。其相變前后電、磁、光性能有較大的變化，這使得它成為一種有前景的電/光轉(zhuǎn)換、光存儲、激光保護(hù)和智能窗材料。 本文簡單介紹了直流磁控濺射法制備VO2薄膜的原理及過程，通過XRD，F(xiàn)TIR，Raman 光譜，F(xiàn)SEM，XPS等一系列測試，得到氧化釩薄膜內(nèi)部組成成份的信息及膜系的紅外吸收特性，分析了不同條件下樣品薄膜的結(jié)晶狀

2、況及樣品成分，重點討論了氧氬氣質(zhì)量流量比、基片溫度對制備薄膜成分、結(jié)構(gòu)和性能的影響，研究了獲得高含量VO2 薄膜的最佳制備參量。通過在樣品表面及背面制作電極，外加電場測試器件的Raman 光譜和FTIR光譜，研究電場對VO2 晶體狀態(tài)及紅外性能的影響。 紅外特性的模擬由Lorentz多諧振模型出發(fā)，得到器件材料α-SiO2，α-SiN:H，VO2，Al的介電常數(shù)，進(jìn)而得到光學(xué)常數(shù)，用菲涅爾系數(shù)矩陣法計算膜系的紅外吸收光譜；通過不