高效電光聚合物薄膜制備及性能的研究.pdf

1、山東大學(xué)碩士學(xué)位論文高效電光聚合物薄膜制備及性能的研究姓名：呂增海申請(qǐng)學(xué)位級(jí)別：碩士專業(yè)：光學(xué)工程指導(dǎo)教師：任詮2001.4.10呂增海：山東大學(xué)碩士學(xué)位論文物復(fù)合的設(shè)計(jì)思想，采用PT納米微晶作為活性基元，既利用了PT晶體電光系數(shù)高(59pm／v)且性能穩(wěn)定的長(zhǎng)處，又回避了該晶體生長(zhǎng)困難的缺點(diǎn)。采用PEKC聚合物作為基質(zhì)則是利用了其介電常數(shù)低，透過波長(zhǎng)范圍寬、玻璃化溫度高等特點(diǎn)。本文采用旋涂法制備了四種PTPEKC納米晶聚合物復(fù)合薄膜P

2、1、P2、P3、P4，在這些樣品中，PT納米微晶的摻雜濃度分別為5％、10％、l5％、20％。然后選用電暈極化法對(duì)聚合物復(fù)合薄膜進(jìn)行了極化，并研究了電暈針的距離、極化電壓、電流、溫度及時(shí)問與電光效應(yīng)和極化均勻性之間的關(guān)系。本文將準(zhǔn)波導(dǎo)耦合技術(shù)和波導(dǎo)耦合技術(shù)應(yīng)用于實(shí)驗(yàn)中，完善了準(zhǔn)波導(dǎo)m線測(cè)量裝置，并精確地測(cè)定了薄膜的折射率和厚度參數(shù)。本文采用電容電橋法研究了聚合物復(fù)合薄膜的介電譜。首先在聚合物復(fù)合薄膜的上表面采用LDMl500真空濺射儀濺

3、射上一層金膜作為一電極：玻璃襯底的導(dǎo)電層與薄膜下表面接觸，作為另一電極，構(gòu)成平行平板電容器。然后，利用HP4129A型阻抗分析儀測(cè)得了室溫下四種納米晶聚合物復(fù)合薄膜相對(duì)介電常數(shù)￡隨頻率的變化關(guān)系曲線，在100KHz處，P1、P2、P3、P4的相對(duì)介電常數(shù)占，分別為506、656、7t32、839。另外測(cè)得了100KHz處聚合物復(fù)合薄膜P4的相對(duì)介電常數(shù)占，隨溫度的變化曲線，并由該曲線推斷出P4的玻璃化溫度約為1900C，這一結(jié)果與理論預(yù)