聚合物發(fā)光器件的制備及性能研究.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、聚合物發(fā)光器件(Polymer light-emitting diode,簡稱PLED)由于其廣泛的應(yīng)用,引起了人們極大的興趣,并取得了長足的發(fā)展。但是目前產(chǎn)品的性能尚非盡善盡美,器件的穩(wěn)定性和發(fā)光效率還有待進一步提高,以滿足高技術(shù)領(lǐng)域的更廣泛的應(yīng)用要求。針對聚合物發(fā)光器件目前所存在的問題,本論文的研究重點在于器件的制備工藝,并取得了一定的研究成果。
  (1)利用原子力顯微鏡、接觸角測試儀、紫外分光光度計從微觀角度研究了乙醇、氫

2、氧化鈉、濃硫酸、氧等離子體處理對ITO薄膜的表面性能和光電性能的影響。經(jīng)氧等離子體處理后,ITO薄膜的表面粗糙度減小,平整度提高,提高了ITO薄膜表面的潤濕性能,改善了有機物在其表面的成膜性能。另一方面,氧等離子體處理使ITO薄膜表面的富Sn氧化物進一步氧化,形成穩(wěn)定的SnO,減少了ITO薄膜表面的氧空位和Sn4+數(shù)量,使其功函數(shù)增大。因此,采用氧等離子體處理的ITO薄膜作為OLED的陽極將降低發(fā)光器件的開啟電壓,提高其發(fā)光效率。

3、>  (2)利用原子力顯微鏡、紫外分光光度計對MEH-PPV薄膜表面性能以及電性能進行了研究,討論了薄膜制備工藝對器件性能的影響。結(jié)果表明:熱處理、退火能夠改善薄膜的表面形貌,從而增加了膜層與電極之間的有效接觸,優(yōu)化了器件性能;另外,旋涂成膜轉(zhuǎn)速的變化,引起膜厚的變化,從而引起器件的J-V特性變化。
 ?。?)采用聚乙烯基咔唑(PVK)作為空穴傳輸層(HTL),8–羥基喹啉鋁(Alq3)作為發(fā)光層(EML),制備了結(jié)構(gòu)為ITO/P

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