聚合物有機電致發(fā)光顯示器件（PLED）的制備及性能研究.pdf

1、聚合物有機電致發(fā)光顯示技術(PLED)與第一代陰極射線管顯示器(CRT)和第二代液晶顯示器(LCD)和等離子體顯示器(PDP)相比有許多優(yōu)點，這包括：顯示器柔軟可卷曲、超薄、重量極輕、可視角大、亮度高、分辨率高、低能耗、無輻射和顯示器面積較大等。同時，由于它是自發(fā)光元器件，不需要背光源，不僅省電、而且對比度高，響應時間也比液晶顯示快1000倍以上，被公認是取代CRT、LCD和PDP的第三代顯示技術。 本文采用旋涂法旋涂有機膜，采

2、用真空蒸鍍法制備陰極，制備了雙層聚合物有機電致發(fā)光顯示器件。研究了不同陰極材料對器件性能的影響，并研究了Se作為封裝材料對PLED發(fā)光性能、電學性能及壽命的影響。 首先分別制備了PEDOT/ITO，MEH-PPV/ITO，Al/ITO，Se/Al/ITO單層薄膜，通過表面形貌圖以及它們的電阻隨時間的變化曲線，研究了它們在空氣中的退化機理。結果表明有機材料及陰極材料的單層薄膜在空氣中會迅速老化。而Se薄膜的防護可以明顯提高薄膜的穩(wěn)

3、定性。 其次以Al和LiF/Al作為陰極，制備了結構分別為ITO/PEDOT：PSS/MEH-PPV/Al，ITO/PEDOT：PSS/MEH-PPV/LiF(x)/Al的PLED器件，其中x=0.5nm，1nm，2nm。通過電流-電壓、發(fā)光亮度-電壓、發(fā)光效率-電壓測試可得，LiF的加入大幅度提高了器件的發(fā)光亮度和效率。在LiF厚度為1nm時器件性能最好。 以LiF/Al作為陰極，制備了結構為ITO/PEDOT：PSS

4、/MEH-PPV/LiF(1nm)/Al(x)(其中x=30、60、100、120nm)的PLED器件。通過電流-電壓、發(fā)光亮度-電壓、發(fā)光效率-電壓測試可知，Al的厚度為100nm時，器件的性能最佳，發(fā)光亮度和發(fā)光效率最大。 分別以Al和Ca：Al合金作為陰極，制備了結構為ITO/PEDOT：PSS/MEH-PPV/Al和ITO/PEDOT：PSS/MEH-PPV/Ca：Al的PLED器件。通過電流-電壓、發(fā)光亮度-電壓、發(fā)光

5、效率-電壓測試可得，用Ca：Al合金作為陰極可大幅提高器件的發(fā)光亮度和效率。 PLED壽命的縮短主要是由于吸附空氣中的氧氣和濕氣，通過在PLED陰極蒸鍍一層性能穩(wěn)定的封裝層把有機膜和金屬電極保護起來，免受外界空氣的影響，最終起到延長器件壽命的目的。本文用Se作為封裝層，制備了結構為ITO/PEDOT：PSS/MEH-PPV/LiF/Al/Se的PLED器件。結果表明Se薄膜封裝層的加入可以在不改變器件電學性能的情況下大幅度提高P