太赫茲波段半導體粒子表面增強拉曼散射效應.pdf

1、在太赫茲（THz）波段應用半導體材料作為表面增強拉曼散射（SERS）基底可以獲得很大的SERS增強因子，而大的增強因子有著極好的應用前景。本文應用FDTD Solutions軟件對三種不同形貌的半導體材料InAs雙微納量級的粒子結構模型進行了模擬，在THz波的激發(fā)光照射下，其SERS增強因子可達到1011數(shù)量級。
　　本文主要包括以下內(nèi)容：
　　THz波和拉曼光譜簡介，THz目前國內(nèi)應用較少，但是有很大的應用前景，拉曼光譜有

2、很多種類，本文主要研究的是THz波段SERS，有很多的優(yōu)點和廣闊的應用前景。
　　SERS基本原則、增強機理和SERS基底的介紹，SERS增強機理主要由電磁場增強和化學增強組成，由于化學增強的不確定性和難理論計算性，本文主要研究電磁場增強機理，THz波段半導體SERS基底有其更好的特性，可以產(chǎn)生極大的SERS增強因子。
　　介紹了研究電磁場增強的理論方法：時域有限差分方法，本文所用仿真模擬軟件FDTD Solutions就是

3、基于時域有限差分方法。
　　利用FDTD Solutions軟件模擬了微納數(shù)量級不同形狀InAs雙粒子模型在THz激發(fā)光下產(chǎn)生的SERS電場增強情況，通過電場分布可以得到SERS增強因子和頻率的關系，發(fā)現(xiàn)4THz-5THz的激發(fā)光可以使InAs雙粒子產(chǎn)生極大的SERS增強因子。
　　THz波段半導體粒子產(chǎn)生SERS效應的應用研究，將半導體粒子封裝在單孔光纖中利用其產(chǎn)生的SERS效應制作傳感探頭；將半導體粒子通過光刻技術周期性