基于大功率晶體管背面金屬化濺射工藝的設(shè)計(jì).pdf

1、大功率晶體管背面電極的制備方法一般為濺射和蒸發(fā)兩種方法,蒸發(fā)沉積薄膜具有簡(jiǎn)單便利、操作容易、成膜速度快、效率高等特點(diǎn),是薄膜制備中最為廣泛使用的技術(shù)。這一技術(shù)的缺點(diǎn)是形成的薄膜與基片的結(jié)合較差,工藝重復(fù)性不好。與蒸發(fā)技術(shù)相比較,濺射發(fā)展較晚,但是濺射有薄膜與基片結(jié)合性好、薄膜純度高、致密性好等優(yōu)點(diǎn),因此濺射鍍膜逐漸替代蒸發(fā)鍍膜被廣發(fā)應(yīng)用。但是它也有基片會(huì)受等離子體的輻照而升溫、濺射速率低等缺點(diǎn)。尤其是在制備大功率晶體管多層金屬電極時(shí),如

2、果濺射過(guò)程中某些工藝參數(shù)控制不當(dāng),會(huì)出現(xiàn)金屬間的分層、貼片后空洞大、金屬層厚度不夠等問(wèn)題,導(dǎo)致功率晶體管在使用過(guò)程中可靠性變差。本論文正是針對(duì)上述問(wèn)題,以大功率晶體管背面金屬化為主要研究對(duì)象,研究了濺射過(guò)程工藝參數(shù)對(duì)晶體管背面金屬化及性能的影響,并從理論上分析了產(chǎn)生這些影響的原因。主要內(nèi)容如下:1、詳細(xì)研究了氬氣流量對(duì)膜層厚度及粘片空洞的影響,分析了空洞形成的原因,結(jié)果顯示氬氣流量大會(huì)導(dǎo)致空洞率大。2、詳細(xì)研究了真空度對(duì)膜層質(zhì)量的影響,