SOI上雙極壓控MOS場效應(yīng)管的研究.pdf

1、概述了現(xiàn)代微電子器件發(fā)展的現(xiàn)狀，電路集成度的不斷提高，加工工藝特征尺寸的不斷減小，器件尺寸進入了亞微米、深亞微米階段，出現(xiàn)了許多不良效應(yīng)。詳細分析了一種新型半導(dǎo)體器件——雙極壓控場效應(yīng)晶體管(BJMOSFET)的結(jié)構(gòu)特點、工作原理，這種器件擁有BJT和MOS兩者的優(yōu)點。并對其直流特性、頻率特性、開關(guān)特性和溫度特性進行了詳細的理論分析和計算機模擬，得出了該器件優(yōu)于現(xiàn)有器件：飽和漏電流較大，頻帶更寬，開關(guān)特性也有一定改善，溫度穩(wěn)定性更好。更

2、適于SOC的生產(chǎn)開發(fā)。從結(jié)構(gòu)、工藝、功耗等方面提出了器件的設(shè)計方法，特別是針對目前集成電路低壓、低功耗發(fā)展的要求，從器件本身的閾值電壓、制備器件的材料和器件的襯底方面進行了詳細的分析，得出了一些結(jié)論，為器件的實際生產(chǎn)提供了理論指導(dǎo)。介紹了SOI材料的幾種制備技術(shù)及SOI材料的主要應(yīng)用領(lǐng)域。提出了SOIBJMOSFET的結(jié)構(gòu)。通過與體硅BJMOSFET比較，討論和分析了SOIBJMOSFET的優(yōu)點：無閂鎖效應(yīng)、抗軟失效能力強、寄生電容大大