HDDR法制備NdFeB永磁材料的研究.pdf

1、HDDR(氫化H、歧化D、脫氫D及再化合R)工藝是用來(lái)制作粘結(jié)磁體的一種重要的方法,HDDR工藝可以獲得具有高矯頑力的Nd-Fe-B磁粉.因其工藝過(guò)程及設(shè)備簡(jiǎn)單,粉末磁性均勻,收得率高,成本低,投資少,見(jiàn)效快,易于推廣,所以發(fā)展前景十分廣闊.該實(shí)驗(yàn)主要研究HDDR工藝對(duì)均勻化和未均勻化Nd<,12.5>Fe<,63.4-x>Co<,17.4>B<,6.6>Zr<,0.1>Ga<,x>(x=0.1,0.5,1.0);Nd<,12.5>Fe

2、<,62.5>Co<,17.4>B<,6.6>Ga<,1.0>;Nd<,14.2>Fe<,61.5>Co<,16.2>B<,7.0>Zr<,0.1>Ga<,0.5>Al<,0.5>;Nd<,14.2>Fe<,62>Co<,16.2>B<,7.0>Zr<,0.1>Ga<,0.5>和Nd<,14.2>Fe<,62>Co<,16.2>B<,7.0>Zr<,0.1>Al<,0.5>材料磁性能的影響.結(jié)果表明:α-Fe軟磁性相,它的存在對(duì)制粉、取

3、向及Ms都有不利的影響,極大地影響了磁體的磁性能.均勻化處理可減少α-Fe量,但很難全部消除.對(duì)HDDR處理不同階段產(chǎn)物的XRD物相分析表明:HDDR處理過(guò)程是Nd<,2>Fe<,14>B基相化合物氫化、歧化、脫氫及再化合的過(guò)程,在低溫吸氫發(fā)生氫化,在中溫吸氫發(fā)生歧化行為,實(shí)驗(yàn)最佳歧化溫度控制在770℃~800℃之間.HD處理時(shí)間影響主相及富Nd相吸氫,歧化反應(yīng)狀況,最佳HD處理時(shí)間控制在2.5~3.5h之間.脫氫和再化合過(guò)程把原來(lái)粗大