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1、該文采用電弧法制備單壁納米碳管、催化熱解法原位填充納米碳管以及模板法制備納米陣列體系,對(duì)其生長(zhǎng)和填充機(jī)制進(jìn)行了初步研究和探討.采用氫-氬電弧法半連續(xù)制備單壁納米碳管.分別以石墨和多壁納米碳管作為碳源,按照不同比例添加鎳和硫化鎳,制備單壁納米碳管.通過(guò)對(duì)產(chǎn)物進(jìn)行宏觀觀察和微觀表征(掃描、透射和拉曼分析),發(fā)現(xiàn)以多壁納米碳管為碳源制備單壁納米碳管較容易,且產(chǎn)物較純凈、石墨化程度較高.反應(yīng)物中硫化鎳的存在使得反應(yīng)傾向于生成直徑較大的單壁納米碳
2、管或傾向于生成多壁納米碳管.當(dāng)鎳含量為25wt.%時(shí),單壁納米碳管的拉曼譜峰出現(xiàn)異常,認(rèn)為可能有Ni或Ni<,3>C被填充到管中.該實(shí)驗(yàn)還采用多步提純法-超聲處理、空氣氧化和酸處理等方法,對(duì)反應(yīng)產(chǎn)物進(jìn)行提純,提純后催化劑粒子、無(wú)定形碳等雜質(zhì)明顯被去除,提純效果很明顯.同時(shí)對(duì)影響單壁納米碳管生長(zhǎng)的等離子電弧、電流、催化劑、緩沖氣體和生長(zhǎng)促進(jìn)劑等因素,進(jìn)行了分析和確定,并初步探討了單壁納米碳管的生長(zhǎng)機(jī)制.采用催化熱解法制備納米碳管及納米復(fù)合
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