基于CMOS工藝的毫米波無源器件的設(shè)計.pdf

1、本文基于CMOS工藝，采用Designer與HFSS軟件對平面螺旋電感進(jìn)行了設(shè)計與建模，提取了不同圈數(shù)，不同線寬，不同線間距以及不同內(nèi)徑的電感仿真參數(shù)，在1-100GHz范圍內(nèi)得到的電感值為0.2-0.5nH，最大Q值為8；針對MIM電容的結(jié)構(gòu)特點，提出了等效電路模型，給出了具體參數(shù)的計算方法，對等效電路模型進(jìn)行了驗證。在HFSS中建立了多層電容模型，分析了不同層數(shù)，不同極板面積情況下電容值、Q值以及自諧振頻率的變化規(guī)律。在1-100G

2、Hz范圍獲得的電容值從雙層時的0.002-0.015pF增大到五層時的0.02-0.05pF，而Q值則從雙層時的450下降到五層時的70左右。
　　 基于建立的螺旋電感模型及MIM電容模型，分別建立了24GHz和60GHz的帶通濾波器模型，仿真結(jié)果表明，濾波器各參數(shù)能較好的滿足設(shè)計要求。采用T型電感耦合結(jié)構(gòu)設(shè)計了中心頻率為60GHz、帶寬為20GHz帶通濾波器，該濾波器回波損耗為37dB，插入損耗小于1.5dB。在T型電感耦合結(jié)