等離子體誘導量子阱混合技術研究.pdf

1、量子阱混合技術是一種十分有效的實現(xiàn)多功能單片集成的技術。它通過在量子阱層附近引入缺陷，繼而快速退火促進缺陷在量子阱層與壘層的組分相互擴散，達到改變能帶結構的目的。與再生長技術和選擇性生長技術相比，其工藝簡單、并能十分有效的改變量子阱材料的能帶，是當前單片集成技術中的熱點。本文研究了等離子誘導的量子阱混合技術，主要創(chuàng)新包括以下幾個方面：
　　 使用氬等離子誘導的量子阱混合在標準的InGaAsP/InP壓應變多量子阱結構上實現(xiàn)了11

2、0nm的波長藍移。系統(tǒng)的研究了ICP功率、退火溫度等主要實驗參數(shù)對量子阱PL峰值藍移、PL峰值強度的影響，并且得到了重復性很好、有較大藍移的量子阱混合實驗結果。
　　 首次提出并研究了氮等離子誘導的量子阱混合技術，使用SRIM模擬分析了氮等離子在InGaAsP/InP結構上的空位缺陷生成速率，分別在有上包層結構和無上包層結構的多量子阱樣品上取得了近100nm的PL峰值波長藍移。
　　 首次使用氬等離子誘導的量子阱混合技術