等離子體誘導(dǎo)量子阱混合技術(shù)研究.pdf

1、量子阱混合技術(shù)是一種十分有效的實(shí)現(xiàn)多功能單片集成的技術(shù)。它通過在量子阱層附近引入缺陷，繼而快速退火促進(jìn)缺陷在量子阱層與壘層的組分相互擴(kuò)散，達(dá)到改變能帶結(jié)構(gòu)的目的。與再生長(zhǎng)技術(shù)和選擇性生長(zhǎng)技術(shù)相比，其工藝簡(jiǎn)單、并能十分有效的改變量子阱材料的能帶，是當(dāng)前單片集成技術(shù)中的熱點(diǎn)。本文研究了等離子誘導(dǎo)的量子阱混合技術(shù)，主要?jiǎng)?chuàng)新包括以下幾個(gè)方面：
　　 使用氬等離子誘導(dǎo)的量子阱混合在標(biāo)準(zhǔn)的InGaAsP/InP壓應(yīng)變多量子阱結(jié)構(gòu)上實(shí)現(xiàn)了11

2、0nm的波長(zhǎng)藍(lán)移。系統(tǒng)的研究了ICP功率、退火溫度等主要實(shí)驗(yàn)參數(shù)對(duì)量子阱PL峰值藍(lán)移、PL峰值強(qiáng)度的影響，并且得到了重復(fù)性很好、有較大藍(lán)移的量子阱混合實(shí)驗(yàn)結(jié)果。
　　 首次提出并研究了氮等離子誘導(dǎo)的量子阱混合技術(shù)，使用SRIM模擬分析了氮等離子在InGaAsP/InP結(jié)構(gòu)上的空位缺陷生成速率，分別在有上包層結(jié)構(gòu)和無上包層結(jié)構(gòu)的多量子阱樣品上取得了近100nm的PL峰值波長(zhǎng)藍(lán)移。
　　 首次使用氬等離子誘導(dǎo)的量子阱混合技術(shù)