DBD等離子體流動控制技術(shù)研究.pdf

1、本文對DBD等離子體流動控制技術(shù)進(jìn)行了實驗和數(shù)值模擬研究。通過介質(zhì)阻擋放電產(chǎn)生等離子體，在電場中獲得動量和能量，來改變邊界層的流動特性，實現(xiàn)對流動分離的控制，從而達(dá)到增升減阻的目的。
　　在大氣環(huán)境中利用NACA0015翼型進(jìn)行等離子體控制流動分離煙線顯示和測壓實驗，研究了雷諾數(shù)大小、激勵電壓、電極接線方法和電極布置方式對等離子體流動控制效果的影響。并利用FLUENT軟件中的UDF編程，添加能量源項和動量源項，對等離子體控制流動分

2、離進(jìn)行數(shù)值模擬。
　　研究結(jié)果表明：等離子體在一定的攻角域內(nèi)能有效抑制流動分離，實現(xiàn)增升減阻，且隨著雷諾數(shù)的增加，有效控制的起始攻角和終止攻角均變大，但攻角區(qū)域逐漸變??；在分離點附近，流動對能量非常敏感，只需少許能量輸入就能使分離點后移或使氣流重新附著，延緩或抑制分離的發(fā)生，因此可以通過在分離點附近布置等離子體激勵器來實現(xiàn)和優(yōu)化流動控制：當(dāng)激勵電壓等于或大于某個值時，流動分離可以完全被抑制，并且一旦激勵電壓大于此值，再增大電壓對流