應(yīng)用PIC-MC方法研究電子儲存環(huán)中束內(nèi)散射效應(yīng).pdf

1、本課題論文正文分為六章。
　　 第一章緒論對課題的背景做出簡要介紹，闡述衍射極限光源的發(fā)展前景，其主要技術(shù)難度在于降低發(fā)射度參數(shù)，束內(nèi)散射效應(yīng)將對發(fā)射度參數(shù)產(chǎn)生重要的影響，有必要進(jìn)行詳細(xì)的分析和研究，研究的工具則是電磁場粒子模擬方法。
　　 第二章介紹使用傳統(tǒng)的理論方法研究束內(nèi)散射效應(yīng)的過程與結(jié)果。通過分析傳統(tǒng)方法的理論基礎(chǔ)，體現(xiàn)出其推論過程中的局限性所在，有必要使用模擬方法予以對比驗證。
　　 第三章介紹模擬過

2、程的物理基礎(chǔ)和模型。將粒子模擬的主要對象劃分為粒子在儲存環(huán)中的輸運、電子間的庫侖散射和同步輻射三部分，各自介紹其處理方法和理論基礎(chǔ)，完備其理論根據(jù)。
　　 第四章介紹模擬程序并行化的思路和方式，基于我實驗室并行計算系統(tǒng)體系和狀態(tài)，選擇合適的并行語言、并行策略，將該模擬過程用并行程序體現(xiàn)出來，也為將來的儲存環(huán)整體仿真程序構(gòu)建基礎(chǔ)。
　　 第五章介紹計算結(jié)果，針對過程中涉及的一些模擬參量如時間步長、模擬粒子數(shù)、粒子的初始分布