應(yīng)用PIC-MC方法研究電子儲(chǔ)存環(huán)中束內(nèi)散射效應(yīng).pdf_第1頁(yè)
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文檔簡(jiǎn)介

1、本課題論文正文分為六章。
   第一章緒論對(duì)課題的背景做出簡(jiǎn)要介紹,闡述衍射極限光源的發(fā)展前景,其主要技術(shù)難度在于降低發(fā)射度參數(shù),束內(nèi)散射效應(yīng)將對(duì)發(fā)射度參數(shù)產(chǎn)生重要的影響,有必要進(jìn)行詳細(xì)的分析和研究,研究的工具則是電磁場(chǎng)粒子模擬方法。
   第二章介紹使用傳統(tǒng)的理論方法研究束內(nèi)散射效應(yīng)的過(guò)程與結(jié)果。通過(guò)分析傳統(tǒng)方法的理論基礎(chǔ),體現(xiàn)出其推論過(guò)程中的局限性所在,有必要使用模擬方法予以對(duì)比驗(yàn)證。
   第三章介紹模擬過(guò)

2、程的物理基礎(chǔ)和模型。將粒子模擬的主要對(duì)象劃分為粒子在儲(chǔ)存環(huán)中的輸運(yùn)、電子間的庫(kù)侖散射和同步輻射三部分,各自介紹其處理方法和理論基礎(chǔ),完備其理論根據(jù)。
   第四章介紹模擬程序并行化的思路和方式,基于我實(shí)驗(yàn)室并行計(jì)算系統(tǒng)體系和狀態(tài),選擇合適的并行語(yǔ)言、并行策略,將該模擬過(guò)程用并行程序體現(xiàn)出來(lái),也為將來(lái)的儲(chǔ)存環(huán)整體仿真程序構(gòu)建基礎(chǔ)。
   第五章介紹計(jì)算結(jié)果,針對(duì)過(guò)程中涉及的一些模擬參量如時(shí)間步長(zhǎng)、模擬粒子數(shù)、粒子的初始分布

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