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1、湖南大學(xué)碩士學(xué)位論文低壓雙電荷層ITO薄膜晶體管姓名:毛延凱申請學(xué)位級別:碩士專業(yè):微電子與固體電子學(xué)指導(dǎo)教師:萬青20110928AbstractRecentlywidebandgapbasedoxidethin—filmtransistors(TFTS)havebeenextensivelyinvestigatedbecauseoftheirhighelectronmobilityandlowprocessingtemperatur
2、e,makingthemcompatiblewithflexiblesubstratesandbecausetheycanbeprocessedatlowtemperaturestoproducelargeareadisplayswiththepotentialoflowproductioncostsHowever,theyusuallyrequirelargeoperationvoltagetoachievehighoutputcur
3、rentsandhighmobilitesInthiscondition,oxideTFTsoperatedinlowvoltagehaveattractedmuchmoreattentionAmongvariousoxidesemiconductormaterials,InGaZn04、ITO(indiumtinoxide)arepreferredasthechannellayerofTFTsduetotheiruniformstru
4、cture,smoothsurface,andhighelectronmobility(10cm‘/Vs)evenforanamorphousfilmdepositedatroomtemperatureWehavedevelopedmicroporpusSi02filmbyplasmaenhancedchemicalvapordeposition(PECVD)usingSill4and02asthereactivegasesatroom
5、temperatureWecanhighlyreducetheoperationvoltagebyusingthiskindofSi02asthegatedielectricofTFTs,SOwecansolvethehighoperationvoltageproblemofnormalTFTsBesides,WehaveattemptedtogiveresearchonflexibleTFTSAnewkindofelectricdou
6、ble1ayersindiumtin—oxide(ITO)thin—filmtransistorswasfabricatedon、papersubstratebyoneshadowmaskprocessFirstofall,300amthickITOfilmwasdepositedonpapersubstratebyradio—frequencymagnetronsputtering,asthegateelectrodeNext,a鉍m
7、thickSi02gatedielectriclayerwasdepositedontotheITObyPECVDusingSill4and02asthereactivegasesatroomtemperatureFinallythechannellayercanbesimultaneouslyselfassembledbetweenITOsource/drainelectrodesbyonlyoneshadowmaskduringRF
8、magnetronsputteringdepositionatroomtemperatureThethicknessoftheITOsource/drainelectrodeswasabout200nm,andthemeasurementsweremadeontransistorswithachannellengthof8叫mandawidthof1000/tmTheentireprocessofdevicefabricationwas
9、performedatroomtemperatureTheelectricalcharacteristicsofthetransistorsweremeasuredwithaKeithley4200semiconductorparameteranalyzerataroomtemperatureinthedarkTheseTF,rsexhibitagoodperformancewithanultralowoperationvoltageo
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