有機(jī)薄膜晶體管柵絕緣層的研究.pdf

1、目前國內(nèi)外關(guān)于有機(jī)絕緣層制備的研究報道較多，但是針對ITO對有機(jī)薄膜的性能影響的研究較少。本課題在ITO基底上制備了兩種有機(jī)絕緣層，并對絕緣層的表面形貌、電學(xué)特性和漏電機(jī)理進(jìn)行了研究。
　　首先使用苯膦酸對ITO進(jìn)行表面修飾，測量ITO的表面粗糙度和親疏水性變化；然后在ITO基底上用旋涂的方法制備PMMA與PVP絕緣層，檢測ITO修飾對PMMA與PVP表面形貌和電學(xué)特性的影響；旋涂不同分子量的PMMA與不同交聯(lián)劑質(zhì)量分?jǐn)?shù)的PVP薄

2、膜，分析分子量對PMMA絕緣層的影響和交聯(lián)劑質(zhì)量分?jǐn)?shù)對PVP絕緣層的影響，并從漏電機(jī)理方面進(jìn)行探討。
　　研究結(jié)果表明，ITO修飾時間為2h時得到最佳的ITO表面，且ITO經(jīng)過修飾后PMMA與PVP絕緣層薄膜表面粗糙度、漏電流均減小，電學(xué)性能趨于穩(wěn)定。不同分子量的PMMA薄膜的漏電機(jī)理基本相同：在0-6V、6-10V、10-15V的電壓變化范圍內(nèi)，主要漏電機(jī)理分別為普爾-弗朗克效應(yīng)、肖特基發(fā)射、空間電荷限制電流。PVP與PMF質(zhì)量

3、分?jǐn)?shù)均為5％時可以得到質(zhì)量更好絕緣層薄膜，漏電流較小，可靠性較高。交聯(lián)劑質(zhì)量分?jǐn)?shù)為3%、5%、7%的PVP薄膜漏電機(jī)制分別在10.3V、10.8V、10V時由普爾-弗朗克效應(yīng)轉(zhuǎn)變?yōu)樾ぬ鼗l(fā)射效應(yīng)。
　　本工作中制備的PMMA與PVP絕緣層表面粗糙度較小，成膜質(zhì)量較好；漏電流在10-8A/cm2數(shù)量級，分子量為350k的PMMA薄膜的單位面積電容達(dá)到10.75nF/cm2，PVP與交聯(lián)劑質(zhì)量分?jǐn)?shù)均為5%的PVP薄膜單位面積電容達(dá)到1