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1、絕緣層的材料、制備方式、厚度等因素對(duì)控制柵極的泄漏電流起著重要的作用,也直接影響到薄膜晶體管的性能。所以對(duì)有機(jī)薄膜晶體管中絕緣層制備參數(shù)的研究具有很重要的意義。本論文主要從三個(gè)方面進(jìn)行了研究:
1.絕緣層采用不同材料的有機(jī)薄膜晶體管的研究。
采用磁控濺射,分別用SiO2和Si3N4兩種介質(zhì)制備厚度均為200nm的絕緣層。器件有源層材料均為40nm的并五苯??梢园l(fā)現(xiàn),與SiO2相比較,Si3N4用做絕緣層的器件
2、,雖然飽和輸出電流略小,但是絕緣性能更好。
2.絕緣層采用不同制備方式的有機(jī)薄膜晶體管的研究。
分別用磁控濺射和電子束,以SiO2為材料,制備了厚度均為200nm的絕緣層。器件有源層材料均為40nm的并五苯。電子束直接蒸鍍材料制備SiO2薄膜,純凈度較高,而濺射所制備的薄膜中有較多缺陷的存在,成為誘導(dǎo)產(chǎn)生隧穿通路的因素。磁控濺射制備的SiO2薄膜絕緣性能不如電子束。
3.絕緣層采用不同厚度的有機(jī)
3、薄膜晶體管的研究。
分別用磁控濺射和電子束,進(jìn)行了兩組實(shí)驗(yàn)。每組實(shí)驗(yàn)中,以SiO2為材料,制備了厚度分別為150nm/200nm/250nm的絕緣層。發(fā)現(xiàn),無(wú)論是采用電子束還是磁控濺射制備的絕緣層,隨著絕緣層厚度的增加,柵的漏電流減小,絕緣層的絕緣性能更好。
最后,作為一個(gè)新的嘗試,以傳統(tǒng)的底柵頂接觸的器件層次結(jié)構(gòu),制備了溝道為圓形的有機(jī)薄膜晶體管。通過(guò)測(cè)試其性格,發(fā)現(xiàn):圓形溝道器件閾值電壓稍大于直線溝道器件
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