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文檔簡介
1、近年來,由于科技的飛速發(fā)展,集成化程度越來越高。為滿足集成電路發(fā)展的要求,金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(MOSFET,Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)的特征尺寸不斷減小。同時也帶來一些不好的結(jié)果,嚴(yán)重影響MOS器件的可靠性。這對工藝技術(shù)的發(fā)展提出了更高要求,如超淺結(jié)技術(shù)、應(yīng)變溝道技術(shù)等。同時出現(xiàn)了許多新型的三維結(jié)構(gòu),如雙柵和圍柵(CSG,Cylindrical Surr
2、ounding-gate)MOSFET等。其中CSG MOSFET的整個溝道被柵包圍,使得柵對溝道有良好的控制力,有效抑短溝道效應(yīng)。CSG MOSFET的短溝道效應(yīng)提高,使晶體管尺寸得以進(jìn)一步縮小。以上諸多優(yōu)勢使得CSG MOSFET成為擴(kuò)展納米級CMOS縮放比例的電路設(shè)計中最有前途的結(jié)構(gòu)之一。
本文從CSG MOSFET溝道結(jié)構(gòu)設(shè)計出發(fā),主要研究階梯摻雜溝道(steepedSC,doping channel)CSG MOSF
3、ET。和均勻摻雜溝道CSG MOSFET的工作機(jī)制、物理模型及性能相比,分析提高M(jìn)OS器件的擊穿特性和抑制熱載流子效應(yīng)的方法。
首先,使用三維仿真軟件ATLAS模擬仿真SC CSG MOSFET的溝道結(jié)構(gòu)特性:不同高摻雜濃度和高摻雜區(qū)域長度。詳細(xì)分析不同溝道結(jié)構(gòu)下SC CSGMOSFET電勢、電場、Id-Vds和Id-Vgs等特性。接著分析柵長對SC DGMOSFET和SC CSG MOSFET兩種結(jié)構(gòu)的閾值電壓下降和漏感應(yīng)勢
4、壘降低等短溝道效應(yīng)效應(yīng)。結(jié)果表明,SC CSG MOSFET具有能明顯減小短溝道效應(yīng)和熱載流子效應(yīng)的影響等優(yōu)點。
其次,在圓柱坐標(biāo)系下,建立了SC CSG MOSFET的三維體電勢模型。在本文中,此模型同時計入耗盡電荷和自由電荷的影響,可以更加精確的描述開態(tài)勢場。求解過程中,使用分離變量法和傅里葉逆變換法相結(jié)合,得到了SCCSG MOSFET的體電勢模型。然后基于二維模型,推導(dǎo)了SC CSG MOSFET的閾值電壓的解析模型。
5、
最后,比較了CS CSG MOSFET的建模結(jié)果和ATLAS模擬仿真結(jié)果,分析驗證了模型的準(zhǔn)確性。通過對不同溝道結(jié)構(gòu)的SC CSG MOSFET電勢、電場和短溝道效應(yīng)進(jìn)行分析,結(jié)果表明,SC CSG MOSFET改善了短溝道效應(yīng)和熱載流子效應(yīng),提高了擊穿特性。而且SC CSG MOSFET受高摻雜濃度變化的影響比較大,漏感應(yīng)勢壘降低效應(yīng)先增大后減小;而高摻雜區(qū)域長度對它影響比較小,但影響溝道遷移率和載流子的速度。此外通過對S
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