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文檔簡介
1、由于各種各樣的原因,量子點(diǎn)陣列中會不可避免地引進(jìn)各種各樣的雜質(zhì),而雜質(zhì)對量子點(diǎn)陣列的輸運(yùn)性質(zhì)有重要影響。因此非常有必要研究各種各樣的雜質(zhì)對量子點(diǎn)陣列的影響。在本文中,我們將采用一維緊束縛模型,研究含時雜質(zhì)(泵浦)對量子點(diǎn)陣列動力學(xué)性質(zhì)的影響。本文的工作安排如下:
第一章,主要介紹量子點(diǎn)陣列的基礎(chǔ)知識,包括一種利用電化學(xué)方法制備量子點(diǎn)陣列的技術(shù),外場下量子點(diǎn)陣列的一些性質(zhì)和基本理論,超晶格的局域態(tài)密度。
第二章,利用一
2、維緊束縛模型,考察了一個含時雜質(zhì)對傾斜量子點(diǎn)陣列的電子輸運(yùn)性質(zhì)的影響。系統(tǒng)的準(zhǔn)能利用精確對角化方法和Floque replica方法計算,然后詳細(xì)地討論了雜質(zhì)對量子點(diǎn)陣列動力學(xué)性質(zhì)的影響。最后按含時雜質(zhì)頻率倒數(shù)做微擾展開,利用解析微擾的方法得到了不含時等效哈密頓,對它的可靠性和物理含義做了討論。
第三章,考察了直流電場驅(qū)動下鑲嵌有兩個含時雜質(zhì)量子點(diǎn)陣列的相干動力學(xué),通過精對角化方法計算了系統(tǒng)的準(zhǔn)能,通過引入格點(diǎn)最大返回概率包絡(luò)
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