集成電工工藝中的去離子水破壞性效應(yīng)研究.pdf

1、集成電路工藝中的去離子水破壞性效應(yīng)研究StudyonthedestructivenesseffectbyD1waterapplicationinVLSIProcesses專業(yè)：集成電路工程企業(yè)導(dǎo)師：羅登貴經(jīng)理天津大學(xué)電子信息工程學(xué)院二零一零年五月～●’、摘要隨著半導(dǎo)體制程的發(fā)展，集成度逐漸提高，制程的要求變得愈加嚴格，任何工藝上的缺陷或者設(shè)計上的不足都將造成電性參數(shù)異常，產(chǎn)生不良率。本論文對于去離子水在現(xiàn)有半導(dǎo)體制程中的應(yīng)用進行了論述，

2、結(jié)合生產(chǎn)實際，研究了三類由于去離子水的使用而衍生的破壞性問題。經(jīng)過理論分析和試驗驗證，確定了解決方案，最終優(yōu)化了現(xiàn)有制程，并已用于生產(chǎn)，取得了良好的效果。具體研究內(nèi)容包括：一、通過調(diào)整清洗機臺的通水通氣方式，減少了去離子水在清洗制程中因為加大表面雜質(zhì)的去除能力而造成的圖形損壞問題的發(fā)生幾率。二、通過在去離子水中加入二氧化碳，抑制了金屬鋁線制造過程中產(chǎn)生的電化學(xué)效應(yīng)，從而解決了電遷移失效的問題。三、通過優(yōu)化去離子水對顯影殘留物的清洗方式，