半導體發(fā)光二極管中負電容現(xiàn)象的理論研究.pdf

1、隨著半導體工業(yè)及技術的發(fā)展，半導體發(fā)光二極管己越來越廣泛地應用于顯示、指示、照明和光通訊等領域，對其特性的研究也越來越顯得重要。 該文主要對發(fā)光二極管在交流電特性下產(chǎn)生的負電容現(xiàn)象進行了研究，首次從最基本的連續(xù)性方程入手對負電容現(xiàn)象進行了解釋。 主要工作概括如下： 1、對以往有關負電容現(xiàn)象的工作報道中的局限性進行了揭示和討論。 2、對發(fā)光二極管的基本理論和特性進行了回顧，為了解負電容的產(chǎn)生機理和定量計算提

2、供了基礎。 3、對發(fā)光二極管的有關負電容的實驗進行了分析，確信這里的負電容現(xiàn)象是非其它外部原因所致的發(fā)光二極管本身特性，且與強復合發(fā)光有著緊密的聯(lián)系。 4、對最基本的連續(xù)性方程進行了分析，確認注入載流子的復合對應著電感效應，由此提出了一種新的模型，利用數(shù)學軟件Matlab對發(fā)光二極管在各種條件下的結電容進行了大量的運算及繪圖，并與實驗數(shù)據(jù)進行了比較。 5、根據(jù)其他的二極管中的負電容現(xiàn)象對上述模型進行了進一步修正，