半導(dǎo)體發(fā)光二極管電子束輻照效應(yīng)的研究.pdf

1、與傳統(tǒng)光源相比，LED由于具有節(jié)能，環(huán)保，壽命長(zhǎng)等優(yōu)點(diǎn)而備受關(guān)注，成為第三代照明光源，因此提高LED各方面性能也成為當(dāng)前各國(guó)半導(dǎo)體照明領(lǐng)域研究的熱點(diǎn)。
　　 本文研究了低能電子束輻照對(duì)AlGaInP基紅光LED和GaN基藍(lán)光LED發(fā)光性能的影響。電子束輻照具有效率高、成本低、控制精確等優(yōu)點(diǎn)，它可以減少半導(dǎo)體材料中的少數(shù)載流子壽命，進(jìn)而影響其性能。經(jīng)過大量的輻照實(shí)驗(yàn)后，根據(jù)實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)可以對(duì)比不同能量和不同劑量電子束輻照對(duì)LED發(fā)光強(qiáng)

2、度的影響，并且總結(jié)出電子束能量和劑量等參數(shù)與LED發(fā)光強(qiáng)度變化的關(guān)系。
　　 本實(shí)驗(yàn)的主要工作及結(jié)論如下:
　　 1、用電子束輻照紅光LED和藍(lán)光LED，對(duì)比未輻照和輻照之后的外延片的PL譜，確定電子束輻照能夠提高LED的發(fā)光強(qiáng)度。
　　 2、利用不同的輻照源（包括電子束，X射線和γ射線）輻照紅光LED，對(duì)比PL譜可知電子束輻照是效率最高的輻照源。
　　 3、利用不同能量和不同劑量的電子束輻照LED，對(duì)比