納米間隙電極的制備研究.pdf_第1頁
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1、隨著微電子學(xué)的快速發(fā)展,具有小功耗、快速、高集成度特征的納米電子器件作為下一代器件備受關(guān)注.如何有效方便的制備出納米間隙電極是制備納米電子器件的第一步,也是其關(guān)鍵所在.傳統(tǒng)光刻方法制備的電極間隙的極限只能在亞微米量級(jí),而不能滿足納米電子器件的需要.因此,在研究納米電子器件的過程中,急需一種簡(jiǎn)便易行、易于推廣的制備納米間隙電極的新方法.本文首創(chuàng)地提出了將選擇性化學(xué)沉積與光刻工藝相結(jié)合制備納米間隙電極的全新方法.它的設(shè)計(jì)思路是:第一步,通過

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