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文檔簡介
1、本文利用超高真空掃描隧道顯微鏡(UHV-STM)和有機分子束沉積(0MBD)方法系統(tǒng)研究了半金屬Ga薄膜的制各方法和全氟并五苯薄膜的生長方式。為了得到高質(zhì)量的Ga薄膜,我們選擇較為平整的Si(111)-7x7襯底,采用室溫沉積1/3分子單層(monolayer,ML)Ga并進行770K熱退火處理,得到Si(111)-√3 x√3-Ga表面重構(gòu)。在此基礎(chǔ)上繼續(xù)沉積5個原子層厚的Ga,得到非常光滑和致密的Ga雙層薄膜,這非常有利于有機分子薄
2、膜的生長。在此基底上,我們研究了n型半導體分子全氟并五苯(perfluoropentancene,PFP)分子在半金屬Ga表面的吸附和兩維自組裝。在低覆蓋度下單個PFP分子在Ga表面上表現(xiàn)出很高的遷移性。在1 ML時PFP分子發(fā)生二聚化并在Ga表面上無序排列。輕度熱退火可導致PFP兩維自組裝:二聚體排列為高度有序的一維分子帶陣列,帶中PFP二聚體排列為磚墻(brick wall)結(jié)構(gòu)。在高分辨STM圖中,PFP分子兩端出現(xiàn)亮暗相反的圓形
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