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文檔簡介
1、隨著科學技術的不斷進步,器件朝著微型化的方向發(fā)展。傳統(tǒng)的制冷方式不能夠實現對微型器件的制冷,而固體制冷作為新型的制冷方式可以滿足微型器件的制冷需求。固體制冷主要包括磁熱制冷、半導體制冷和電熱效應制冷。磁熱制冷存在成本高、工作溫度低的缺點;半導體制冷存在制冷效率低,能量損耗大的缺點;電熱效應制冷存在制冷效率高,制冷成本低的優(yōu)點。因此研究電熱效應制冷非常有意義。目前電熱效應存在的問題主要有:絕熱溫度變化值的最大值出現在溫度較高的地方和絕熱溫
2、度變化值的最大值對應的溫度區(qū)間較窄。為此,我們要研究如何改善電熱效應。本論文希望通過采用調控相變和制備PbTiO3/BaTiO3復合薄膜的方法增強BaTiO3薄膜的電熱效應。主要內容和結論如下:
1.相變調控對BaTiO3薄膜室溫電熱效應的增強研究
采用溶膠凝膠法在Pt/Ti/SiO2/Si襯底上制備了厚度為300nm左右的BaTiO3薄膜。通過對BaTiO3薄膜的X射線衍射結果和鐵電性測試結果我們確定BaTiO3薄
3、膜的晶體結構為偽立方相結構。從BaTiO3薄膜的介電常數和溫度的變化關系曲線中我們發(fā)現在300K到320K的溫度區(qū)間內,BaTiO3薄膜的介電常數隨溫度的升高而降低,這說明在300K以下BaTiO3薄膜會發(fā)生相變;在320K到390K的溫度區(qū)間內BaTiO3薄膜的介電常數沒有較大的變化,390K以后,BaTiO3薄膜的介電常數開始逐漸降低。這個過程中BaTiO3薄膜發(fā)生了彌散型相變。BaTiO3薄膜的這種相變是由于退火時間較短產生偽立方
4、相結構的BaTiO3而造成的。在300K到320K的溫度區(qū)間內,BaTiO3薄膜的T隨溫度的升高而降低,我們首次在BaTiO3薄膜中發(fā)現這種現象。300K時,BaTiO3薄膜在電場強度為216.7kVcm1的條件下T為0.46K,這個值要遠大于其他文獻中報道的BaTiO3薄膜的室溫T。這說明調控相變可以明顯增強BaTiO3薄膜的室溫電熱效應。
2.PbTiO3/BaTiO3復合薄膜對BaTiO3薄膜電熱效應值(T)的增強研究<
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