激光作用單晶Si的等離子體譜研究.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、本文以激光與物質(zhì)相互作用及等離子體產(chǎn)生原理為理論基礎(chǔ)，對激光作用固體靶材激發(fā)等離子體譜進行理論分析，并對激光作用單晶Si所產(chǎn)生的等離子體譜進行了實驗研究。利用波長為1064nm，采取二倍頻，使激光器輸出波長為532nm，脈沖寬度為10ns的固體Nd:YAG調(diào)Q激光器，構(gòu)建了激光作用單晶Si的等離子體實驗測試系統(tǒng)。利用峰值功率較高的脈沖激光實現(xiàn)等離子體的激發(fā)，由光纖探頭將散射光信號耦合進入光譜儀，并輸入計算機進行分析。根據(jù)獲得的等離子體光

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