CMOS圖像傳感器片上處理電路研究.pdf

1、CMOS圖像傳感器產(chǎn)生于二十世紀六十年代末，與CCD圖像傳感器的研究幾乎同時起步，但由于受當時工藝水平的限制，在成像質(zhì)量上不能和CCD圖像傳感器相比擬，因此傳感器市場的主導地位一直為CCD圖像傳感器所占據(jù)。直到二十世紀九十年代，低噪聲CMOS APS的出現(xiàn)，使得CMOS傳感器的性能大大提高，成為了圖像傳感器市場研究開發(fā)的熱點。
　　 但是，與CCD圖像傳感器相比，CMOS圖像傳感器的成像水平仍有待提高，噪聲仍然是限制CMOS圖像

2、傳感器質(zhì)量的重要因素，噪聲問題是目前CMOS圖像傳感器研發(fā)過程中的主要課題之一。隨著CMOS圖像傳感器的集成度和速度的不斷提高，噪聲抑制電路的研究對CMOS圖像傳感器性能的提高起著更為重要的作用。本課題設計了一種基于空間應用的CMOS圖像傳感器芯片COERL2010，采用3T像元結(jié)構，尺寸15×15μm2，64dB動態(tài)范圍，47eKTC噪聲，頻譜范圍400-1000nm。
　　 本文結(jié)構，緒論部分介紹了CMOS圖像傳感器背景與選

3、題意義，第二章簡單分析了CMOS圖像傳感器的基本原理和關鍵技術，第三章對中前級電路進行了詳細設計和仿真，第四章重點簡紹內(nèi)插式ADC電路的設計，最后進行了版圖設計和結(jié)論分析。
　　 本文創(chuàng)新點：
　　 1.改進型的雙采樣電路結(jié)構，利用雙采樣而并非相關雙采樣(CDS)的簡單結(jié)構可以完全消除由于器件失配所引起了固定模式噪聲，并能較大程度上抑制其他噪聲。
　　 2.利用簡單的電容陣列編碼方式實現(xiàn)×1、×2、×4、×8倍增